半导体装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108140631A

    公开(公告)日:2018-06-08

    申请号:CN201580083447.2

    申请日:2015-09-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性及可靠性的技术。半导体装置具备:多个半导体芯片(2);多个电极(3),其分别与多个半导体芯片(2)电连接;封装部件(5);以及连接部(6)。封装部件(5)将多个电极(3)中的与多个半导体芯片(2)连接的部分以及多个半导体芯片(2)覆盖。连接部(6)配置于封装部件(5)的外部,将多个电极(3)中的没有被封装部件(5)覆盖的部分彼此电连接。

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108140631B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201580083447.2

    申请日:2015-09-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供能够提高半导体装置的电气特性及可靠性的技术。半导体装置具备:多个半导体芯片(2);多个电极(3),其分别与多个半导体芯片(2)电连接;封装部件(5);以及连接部(6)。封装部件(5)将多个电极(3)中的与多个半导体芯片(2)连接的部分以及多个半导体芯片(2)覆盖。连接部(6)配置于封装部件(5)的外部,将多个电极(3)中的没有被封装部件(5)覆盖的部分彼此电连接。

    半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105247675B

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201380077017.0

    申请日:2013-05-29

    Abstract: 具备基底板和形成在该基底板之上的多个单位构造。特征在于,所有的该单位构造具备:绝缘基板,其固定于该基底板;金属图案,其形成在该绝缘基板之上;半导体元件,其与该金属图案电连接;以及主电极,其上端部向外部露出,下端部连接于该金属图案中的与该基底板的外缘最接近的部分即外周部。

    半导体装置
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109564918B

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN201680088300.7

    申请日:2016-08-10

    Abstract: 在绝缘基板(1)之上设置有第1及第2电路图案(5、6)。在第1电路图案(5)之上设置有第1及第2半导体芯片(7、8)。在绝缘基板(1)之上,在第1半导体芯片(7)与第2半导体芯片(8)之间设置有中继电路图案(10)。导线(11)连续地连接至沿一个方向依次排列的第1半导体芯片(7)、中继电路图案(10)、第2半导体芯片(8)及第2电路图案(6)。

    半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块

    公开(公告)号:CN108140640B

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201580083502.8

    申请日:2015-09-29

    Abstract: 本发明的目的在于,提供使并联地搭载的半导体元件的个数增加,且抑制了搭载半导体元件的绝缘基板的形状横向变长的半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块。本发明涉及的半导体装置(100)具备:绝缘基板(1);连续的金属图案(2),其与绝缘基板(1)的一个主面接合;以及多个开关元件(31、32、33、41、42、43),它们接合于金属图案(2)上的与绝缘基板(1)相反侧的面,多个开关元件在金属图案(2)上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。

    半导体模块、电力变换装置及移动体

    公开(公告)号:CN114762110B

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN201980102719.7

    申请日:2019-12-10

    Inventor: 津田亮

    Abstract: 绝缘基板(2)具有第1及第2电路图案(4、5)。半导体元件(7)具有分别与第1及第2电路图案(4、5)连接并流过主电流的第1及第2主电极(8、9)。第1引线(12)被焊料接合于第1电路图案(5)。第2引线(11)被超声波接合于第2电路图案(4)。

    半导体模块、电力变换装置及移动体

    公开(公告)号:CN114762110A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201980102719.7

    申请日:2019-12-10

    Inventor: 津田亮

    Abstract: 绝缘基板(2)具有第1及第2电路图案(4、5)。半导体元件(7)具有分别与第1及第2电路图案(4、5)连接并流过主电流的第1及第2主电极(8、9)。第1引线(12)被焊料接合于第1电路图案(5)。第2引线(11)被超声波接合于第2电路图案(4)。

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