公开(公告)号：CN102576674A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201080044830.4

申请日：2010-09-29

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 藤音喜子 ,  外赤隆二

IPC: H01L21/308

CPC classification number: H01L21/30608 ,  C09K13/02

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是半导体或MEM S部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的、液体中存在Cu时所发生的Si蚀刻速度的降低，从而表现出较高的蚀刻速度。本发明涉及一种硅蚀刻液，其特征在于，其为含有碱性氢氧化物、羟基胺和硫脲类的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅；另外涉及使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法。

公开(公告)号：CN102598224A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201080050770.7

申请日：2010-11-08

Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社

Inventor： 外赤隆二 ,  藤音喜子

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供用于硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻、不蚀刻由铜或钨等金属或者多晶硅等形成的连接塞而仅蚀刻硅基板、且具有优异的蚀刻速率的蚀刻液以及使用该蚀刻液的具有硅通孔的半导体芯片的制造方法。本发明提供含有氢氧化钾、羟胺和水的硅通孔工艺中的硅基板背面蚀刻用蚀刻液以及具有使用该蚀刻液的硅基板背面蚀刻工序的半导体芯片的制造方法。