公开(公告)号：CN112384571A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201980041554.7

申请日：2019-06-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 山田美树 ,  大西良治 ,  片桐纪子 ,  大坪才华 ,  杉山二郎 ,  松本美香 ,  越后优 ,  武胁隆彦

IPC: C08L79/08 ,  C08K3/34

Abstract: 本发明的课题在于廉价地提供一种适合电子装置等的构件的聚酰亚胺树脂复合材，其完全兼具对翘曲等变形的高抑制性、高图像清晰性和高透明性。一种含有沸石的聚酰亚胺树脂复合材，用于电子材料装置，所述聚酰亚胺树脂复合材含有：至少包含d6r和mtw中任一者作为结构单元Composite Building Unit(CBU)的沸石、以及聚酰亚胺树脂。

公开(公告)号：CN102473843A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080034416.5

申请日：2010-08-02

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 秋山诚治 ,  太田一司 ,  冈部未纱子 ,  大坪才华 ,  河井润也 ,  森竹美子 ,  新实高明 ,  尾込裕平 ,  横山孝理

IPC: H01L51/42 ,  C07F9/53 ,  C09D11/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: C07F9/5325 ,  C07F9/5728 ,  C07F9/58 ,  C07F9/60 ,  C07F9/65068 ,  C07F9/6512 ,  C07F9/6541 ,  C07F9/65517 ,  C07F9/65522 ,  C07F9/655345 ,  C07F9/655354 ,  C07F9/655372 ,  C07F9/65583 ,  C07F9/6561 ,  C09D11/52 ,  H01L51/005 ,  H01L51/4273 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明涉及一种光电转换元件材料、使用该光电转换元件材料的光电转换元件、以及使用该光电转换元件的太阳能电池，所述光电转换元件材料作为太阳能电池的电极缓冲材料等，能够在保持与电极的相互作用和迁移率的同时，使耐久性得以提高。所述光电转换元件包含缓冲层和活性层，其中，缓冲层含有下述通式(I)表示的化合物，活性层含有n型半导体，该n型半导体于25℃在甲苯中的溶解度为0.5重量％以上、电子迁移率为1.0×10-6cm2/Vs以上。

公开(公告)号：CN103380506A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280006693.4

申请日：2012-01-27

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 冈部未纱子 ,  远田淳 ,  秋山诚治 ,  太田一司 ,  藤田理惠子 ,  大坪才华

IPC: H01L51/42 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30

CPC classification number: H01L31/0256 ,  C07F7/2208 ,  C07F9/5325 ,  C07F9/5329 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/3247 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/4273 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明的课题在于，提供光电转换效率提高了的光电转换元件、太阳能电池和太阳能电池模块。通过以下的光电转换元件解决该课题，所述光电转换元件具备一对电极、配置于该电极间的活性层、以及配置于至少一方的所述电极和所述活性层之间的电子取出层，其特征在于，所述活性层中含有具有下述通式（1）所示的重复单元的共聚物，且上述电子取出层中含有下述通式（E1）所示的化合物。

公开(公告)号：CN104335333A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201380027933.3

申请日：2013-05-30

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 大坪才华 ,  荒牧晋司 ,  山崎正典 ,  山内律子 ,  武井出 ,  横山孝理 ,  佐藤佳晴

IPC: H01L21/368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/42

CPC classification number: H01L51/4233 ,  C09D11/52 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/24 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/4273 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 一种含金属氧化物半导体层的制造方法，其特征在于，具有在基材上涂布含有由式(I)表示的不饱和羧酸金属盐的油墨的工序和在上述涂布后进行热处理的工序。(式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为氢原子或任意的取代基，M为m价的金属原子，m为2～5的整数。m个CR1R2＝CR3－COO-可以相同也可以相互不同)。