公开(公告)号：CN101339958B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810129578.1

申请日：2008-07-02

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  武田安弘 ,  牧贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：在栅电极和引出部之间，以与槽部的另一侧面邻接的方式形成，并且以比槽部的下端部更向下方延伸的方式形成的第二导电型的第一杂质区域，该栅电极在以一侧面与源极区域及基极区域邻接的方式形成的槽部内隔着绝缘膜形成；该引出部是在槽部和基极区域的下方存在的漏极区域的引出部。

公开(公告)号：CN101339958A

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200810129578.1

申请日：2008-07-02

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  武田安弘 ,  牧贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：在栅电极和引出部之间，以与槽部的另一侧面邻接的方式形成，并且以比槽部的下端部更向下方延伸的方式形成的第二导电型的第一杂质区域，该栅电极在以一侧面与源极区域及基极区域邻接的方式形成的槽部内隔着绝缘膜形成；该引出部是在槽部和基极区域的下方存在的漏极区域的引出部。

公开(公告)号：CN101567387B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200910132147.5

申请日：2009-04-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  菊地修一 ,  武田安弘 ,  牧贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66689

Abstract: 一种DMOS晶体管。减少DMOS晶体管的导通电阻，而且防止静电破坏强度的恶化。把DMOS晶体管的源极层(5)端部配置成从栅极电极(7)内侧的角部(7A)后退。不把源极层(5)上的硅化物层(11)从源极层(5)的端部向外延伸。即虽然在源极层(5)的表面形成硅化物层(11)，但在源极层(5)与栅极电极(7)内侧的角部(7A)之间露出的体层(4)表面并没形成硅化物层(11)。由此，没有电流集中，由于电流在DMOS晶体管整体大致均匀流动，所以能够提高静电破坏强度。

公开(公告)号：CN101567387A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910132147.5

申请日：2009-04-21

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 大竹诚治 ,  菊地修一 ,  武田安弘 ,  牧贤一

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66689

Abstract: 一种DMOS晶体管。减少DMOS晶体管的导通电阻，而且防止静电破坏强度的恶化。把DMOS晶体管的源极层(5)端部配置成从栅极电极(7)内侧的角部(7A)后退。不把源极层(5)上的硅化物层(11)从源极层(5)的端部向外延伸。即虽然在源极层(5)的表面形成硅化物层(11)，但在源极层(5)与栅极电极(7)内侧的角部(7A)之间露出的体层(4)表面并没形成硅化物层(11)。由此，没有电流集中，由于电流在DMOS晶体管整体大致均匀流动，所以能够提高静电破坏强度。

公开(公告)号：CN104685636A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380050672.7

申请日：2013-09-03

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 牧贤一 ,  金子哲弥

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/048

CPC classification number: H02S10/40 ,  B60K16/00 ,  B60K2016/003 ,  B60L8/003 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/048 ,  Y02E10/50 ,  Y02T10/7083 ,  Y02T10/90

Abstract: 本发明提供输出特性难以产生不均的太阳能电池组件。太阳能电池组件(1)是安装在移动体(2)上的太阳能电池组件。太阳能电池组件(1)包括太阳能电池(10)、第一保护部件(16)、第二保护部件(17)和金属层(17a)。第一保护部件16)配置在比太阳能电池(10)靠移动体(2)的车外侧的位置。第二保护部件(17)配置在比太阳能电池(10)靠移动体(2)的车内侧的位置。金属层(17a)配置在比太阳能电池(10)靠移动体(2)的车内侧的位置。金属层(17a)与太阳能电池(10)绝缘且与接地电位连接。