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公开(公告)号：CN1841787A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610065964.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势元件，其具备第一导电型的晶体类半导体基板和第二导电型的半导体层，第一导电型的晶体类半导体基板具有第一主面和设置在上述第一主面的相反侧的第二主面，第二导电型的半导体层被设置在上述晶体类半导体基板的上述第一主面上；上述晶体类半导体基板被夹持在上述第一主面和上述第二主面之间、并具有由分割加工所形成的分割加工侧面，上述分割加工侧面由通过激光加工所形成的激光加工区域和通过切断加工所形成的切断加工区域构成，上述激光加工区域是未到达上述第二导电型的半导体层、从上述第二主面向上述第一主面侧延伸的区域。
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公开(公告)号：CN1411078A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02143307.0
申请日：2002-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022475
Abstract: 作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。
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公开(公告)号：CN100485974C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610065964.X
申请日：2006-03-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/18 , H01L21/301 , H01L21/78
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种光电动势元件，其具备第一导电型的晶体类半导体基板和第二导电型的半导体层，第一导电型的晶体类半导体基板具有第一主面和设置在上述第一主面的相反侧的第二主面，第二导电型的半导体层被设置在上述晶体类半导体基板的上述第一主面上；上述晶体类半导体基板被夹持在上述第一主面和上述第二主面之间、并具有由分割加工所形成的分割加工侧面，上述分割加工侧面由通过激光加工所形成的激光加工区域和通过切断加工所形成的切断加工区域构成，上述激光加工区域是未到达上述第二导电型的半导体层、从上述第二主面向上述第一主面侧延伸的区域。
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公开(公告)号：CN1779993A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115044.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 马场俊明
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/0547 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供一种能够通过抑制入射到太阳能电池上的光的入射量的减少，从而抑制输出特性下降的太阳能电池组件。该太阳能电池组件具有配置在第一透光性部件的与光入射侧相反的一侧的表面上的对应于太阳能电池之间的区域、在第一透光性部件一侧具有凹凸形状的光反射面的光反射部件。具有比第一透光性部件的折射率高的折射率的第二透光性部件，被埋设在光反射部件的凹凸形状的光反射面的至少凹部中。
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公开(公告)号：CN102725858B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180007219.9
申请日：2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102725858A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201180007219.9
申请日：2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，在背面接合型太阳能电池中，能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A)，包括：具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n)；具有第一导电型的第一半导体层(20n)；和具有第二导电型的第二半导体层(30p)，第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成，在背面(12)形成有槽(13)，在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n)，在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
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公开(公告)号：CN104145344A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201280070921.4
申请日：2012-03-02
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/0288 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/0376 , H01L31/065 , H01L31/204
Abstract: 本发明的光伏器件(100)具备结晶类半导体的衬底(10)和形成在衬底(10)的主面上的第一非晶层(12a)，在衬底(10)与第一非晶层(12a)的界面中，具有从与衬底(10)的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的p型掺杂物密度分布，从而，能够抑制复合中心的增加并且提高导电率，能够提高发电效率。
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公开(公告)号：CN100536170C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510115044.X
申请日：2005-11-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 马场俊明
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/0547 , Y02E10/52
Abstract: 本发明提供一种能够通过抑制入射到太阳能电池上的光的入射量的减少，从而抑制输出特性下降的太阳能电池组件。该太阳能电池组件具有配置在第一透光性部件的与光入射侧相反的一侧的表面上的对应于太阳能电池之间的区域、在第一透光性部件一侧具有凹凸形状的光反射面的光反射部件。具有比第一透光性部件的折射率高的折射率的第二透光性部件，被埋设在光反射部件的凹凸形状的光反射面的至少凹部中。
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公开(公告)号：CN1230917C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN02143307.0
申请日：2002-09-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022475
Abstract: 作为透明导电膜的ITO膜形成在半导体层上，该半导体层包括非晶半导体或微晶半导体，在ITO膜上形成梳状集电极，并且在ITO膜和集电极上放置含有碱离子的护罩玻璃，其中由EVA构成的树脂膜置于其间。ITO膜(透明导电膜)的(222)晶面取向度不小于1.0，优选不小于1.2且不大于2.6，更优选不小于1.4且不大于2.5。或者，透明导电膜具有在相对于半导体层的边界一侧上的(321)晶面取向和在其余部分中的主要的(222)晶面取向。当ITO膜的总厚度为100nm时，在半导体层一侧上的10nm厚的部分中的(321)/(222)衍射强度比不小于0.5且不大于2.5。
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公开(公告)号：CN203481246U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201190000907.8
申请日：2011-11-25
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 马场俊明
IPC: H01L31/0224
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/068 , H01L31/0745 , Y02E10/547
Abstract: 本实用新型提供一种光电转换效率得到提高的太阳能电池单元和太阳能电池模块。电极（21a）包括多个线状电极部（31）和梯形状电极部（32a、32b）。梯形状电极部（32a、32b）设置于端部（20a2、20a3）。梯形状电极部（32a、32b）包括上底部（32a1、32b1）和下底部（32a2、32b2）以及一对斜边部（32a3、32a4、32b3、32b4）。一对斜边部（32a3、32a4、32b3、32b4）连接上底部（32a1、32b1）的端部与下底部（32a2、32b2）的端部。一对斜边部（32a3、32a4、32b3、32b4）沿着倒角状角部（20A～20D）的端边延伸。
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