公开(公告)号：CN103608933A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029337.4

申请日：2012-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大钟章义 ,  角村泰史

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种光伏装置，其具备：半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面或背面的i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）上的p型非晶质层（12p）或n型非晶质层（16n），i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度呈台阶状地减少的氧浓度分布。

公开(公告)号：CN103608932A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280029397.6

申请日：2012-03-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 矢野步 ,  大钟章义

IPC: H01L31/0747

CPC classification number: H01L31/0687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供一种光伏装置，其具备半导体基板（10）、形成在半导体基板（10）的表面上的i型非晶质层（12i）、形成在i型非晶质层（12i）上的p型非晶质层（12p）、形成在半导体基板（10）的背面上的i型非晶质层（16i）、和形成在i型非晶质层（16i）上的n型非晶质层（16n），在i型非晶质层（12i）或i型非晶质层（16i）中，具有从与半导体基板（10）的界面附近沿着膜厚方向浓度台阶状地减少的氧浓度分布，i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度比i型非晶质层（16i）的台阶状部分中的氧浓度高。

公开(公告)号：CN104145344A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201280070921.4

申请日：2012-03-02

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 角村泰史 ,  大钟章义 ,  马场俊明

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/065 ,  H01L31/204

Abstract: 本发明的光伏器件(100)具备结晶类半导体的衬底(10)和形成在衬底(10)的主面上的第一非晶层(12a)，在衬底(10)与第一非晶层(12a)的界面中，具有从与衬底(10)的界面附近起沿膜厚方向呈阶梯状地减少的p型掺杂物密度分布，从而，能够抑制复合中心的增加并且提高导电率，能够提高发电效率。