-
公开(公告)号:CN103460394B
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201280014890.0
申请日:2012-02-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 光电转换装置(10)具备:n型单晶硅基板(21);层叠在n型单晶硅基板(21)的一个面上的IN层(25);IP层(26),其以层叠在IN层(25)的一个面上的未层叠IN层(25)的区域并且具有与层叠有IN层(25)的区域重叠的重叠区域(26*)的方式层叠;与IN层(25)电连接并遍及重叠区域(26*)上形成的n侧电极40;和以与n侧电极(40)离开且与IP层(26)电连接的方式形成的p侧电极(50),IP层(26)在形成有n侧电极(40)的区域和形成有p侧电极(50)的区域之间形成有分离间隙(60)。
-
公开(公告)号:CN103460394A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280014890.0
申请日:2012-02-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/06 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/035272 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 光电转换装置(10)具备:n型单晶硅基板(21);层叠在n型单晶硅基板(21)的一个面上的IN层(25);IP层(26),其以层叠在IN层(25)的一个面上的未层叠IN层(25)的区域并且具有与层叠有IN层(25)的区域重叠的重叠区域(26*)的方式层叠;与IN层(25)电连接并遍及重叠区域(26*)上形成的n侧电极40;和以与n侧电极(40)离开且与IP层(26)电连接的方式形成的p侧电极(50),IP层(26)在形成有n侧电极(40)的区域和形成有p侧电极(50)的区域之间形成有分离间隙(60)。
-
公开(公告)号:CN102725858B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180007219.9
申请日:2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,在背面接合型太阳能电池中,能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A),包括:具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n);具有第一导电型的第一半导体层(20n);和具有第二导电型的第二半导体层(30p),第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成,在背面(12)形成有槽(13),在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n),在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
-
公开(公告)号:CN102725858A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201180007219.9
申请日:2011-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/022441 , H01L31/03529 , H01L31/0747 , H01L31/078 , H01L31/1804 , H01L31/1884 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,在背面接合型太阳能电池中,能够减少电流密度并抑制随时间经过而产生的劣化。本发明的太阳能电池(1A),包括:具有接收光的受光面(11)和设置在受光面(11)的相反侧的背面(12)的半导体基板(10n);具有第一导电型的第一半导体层(20n);和具有第二导电型的第二半导体层(30p),第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)在背面(12)上形成,在背面(12)形成有槽(13),在没有形成槽(13)的背面(12)形成有第一半导体层(20n),在第一半导体层(20n)和第二半导体层(30p)交替排列的排列方向x上的槽(13)的侧面(17)和槽(13)的底面(19)形成有第二半导体层(30p)。
-
-
-