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公开(公告)号：CN100481486C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200410103417.7
申请日：2004-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 铃木浩司
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244
Abstract: 本发明能够简易且正确地形成微小共振器构造。本发明的显示装置具有多个像素，通过两种以上波长的发射光进行彩色显示，各像素具有微小共振器构造，该微小共振器构造构成于：形成于基板侧的下部反射膜(110)；以及在下部反射膜(110)的上方与该下部反射膜间夹有有机发光组件层(120)而形成的上部反射膜(240)之间。下部反射膜(110)由金属薄膜所构成，且与有机发光组件层(120)之间具有作为第一电极(200)的机能的导电性共振间隔物层。导电性共振间隔物层为ITO等透明导电性金属氧化物层，且在不同的成膜室形成在发射波长不同的像素为互不相同的厚度。在有机发光组件层(120)获得的光通过经导电性共振间隔物层调整过光学长度的微小共振器构造而增强，而发射至外部。
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公开(公告)号：CN1322600C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN03104119.1
申请日：2003-02-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5231 , H01L27/3244 , H01L51/5092
Abstract: 光学元件的阴极由基板形成，阳极形成在基板上，发光元件层和用铝制作的阴极，其表面定向基本上均匀。铝的氧含量基本上低于或等于1×1020原子/cm3。
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公开(公告)号：CN1317778C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN03107100.7
申请日：2003-03-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L29/4908 , H01L51/5253
Abstract: 对一设置在有机EL层下面的第二平面化绝缘层进行热处理，从而使其中的湿气含量降到一极低的程度。通过将这种湿气含量降低到77ng/cm3或以下，就可制成其发光特性退化率为最小的有机EL板。作为降低湿气含量对有机EL层的不利作用的另一方法，可对第二平面化绝缘层进行改造处理或涂覆处理。
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公开(公告)号：CN100431165C
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200410103416.2
申请日：2004-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3213 , H01L27/3244 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供具有简易且正确地形成微小共振器构造的显示装置。该显示装置包含多个像素，通过两种以上的波长的发射光进行彩色显示的显示装置，各像素具有：形成于基板侧的下部反射膜(110)，形成于下部反射膜(110)上方的上部反射膜(240)，以及形成于该下部反射膜(110)与该上部反射膜之间的微小共振器构造，在下部反射膜(110)及上部反射膜(240)间插入有机发光组件层(120)。下部反射膜(110)由金属薄膜所构成，在其与有机发光组件层(120)之间具有起第一电极(200)作用的导电性共振间隔物层。该导电性共振间隔物层根据发射波长改变ITO的透明导电性金属氧化物层与SiNx等的透光层(210)的层积数或残留数而改变厚度。
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公开(公告)号：CN1287468C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN03147703.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 铃木浩司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/461
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603
Abstract: 用于将栅极电极蚀刻为具有斜面形状的SF6/O2，因电极材料层与其底层的栅极绝缘膜的选择比不佳，导致栅极绝缘膜亦受到蚀刻。结果，导致栅极绝缘膜的残膜量不均且所制造的薄膜晶体管的动作特性不稳定等问题。亦有不易控制该斜面形状的问题。完成电极材料叠层后，在第一蚀刻步骤中以SF6/O2作为蚀刻气体而蚀刻栅极电极材料直到底层的栅极绝缘膜露出为止。接着在第二蚀刻步骤中以选择比良好的Cl2/O2作为蚀刻气体，而在使保护膜灰化的同时蚀刻残余的栅极电极材料。使用ICP装置时，在第一蚀刻步骤中，只使用电感等离子体源进行蚀刻，而在第二蚀刻步骤中，使用电感等离子体源和偏压等离子体源进行蚀刻。通过该种方法，可以高精确度地控制斜面形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1481203A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03150328.4
申请日：2003-07-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H05B33/14
CPC classification number: H01L27/3258 , H01L27/3246 , H01L51/5237 , H01L51/5262 , H01L51/5284
Abstract: 本发明提供一种有机电致发光显示装置，其主要目的在于减少光线在射出过程中的衰减。本发明的有机电致发光显示装置将有机电致发光元件的透明电极(30)下方的层间绝缘膜(20)与栅极绝缘膜(16)去除。由于这些膜是采用SiO2膜，而且此SiO2的折射率与其它膜相比较有很大的不同，所以在此会发生光线的衰减。通过将有机电致发光元件所发出的光线的通过部位的这些膜予以去除，可减少光线的衰减。
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公开(公告)号：CN1444425A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03104119.1
申请日：2003-02-11
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5231 , H01L27/3244 , H01L51/5092
Abstract: 光学元件的阴极由基板形成，阳极形成在基板上，发光元件层和用铝制作的阴极，其表面定向基本上均匀。铝的氧含量基本上低于或等于1×1020原子/cm3。
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公开(公告)号：CN1638581A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103417.7
申请日：2004-12-27
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 铃木浩司
CPC classification number: H01L51/5265 , H01L27/3211 , H01L27/322 , H01L27/3244
Abstract: 本发明能够简易且正确地形成微小共振器构造。本发明的显示装置具有多个像素，通过两种以上波长的发射光进行彩色显示，各像素具有微小共振器构造，该微小共振器构造构成于：形成于基板侧的下部反射膜(110)；以及在下部反射膜(110)的上方与该下部反射膜间夹有有机发光组件层(120)而形成的上部反射膜(240)之间。下部反射膜(110)由金属薄膜所构成，且与有机发光组件层(120)之间具有作为第一电极(200)的机能的导电性共振间隔物层。导电性共振间隔物层为ITO等透明导电性金属氧化物层，且在不同的成膜室形成在发射波长不同的像素为互不相同的厚度。在有机发光组件层(120)获得的光通过经导电性共振间隔物层调整过光学长度的微小共振器构造而增强，而发射至外部。
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公开(公告)号：CN1469492A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03147703.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 铃木浩司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/461
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78603
Abstract: 用于将栅极电极蚀刻为具有斜面形状的SF6/O2，因电极材料层与其底层的栅极绝缘膜的选择比不佳，导致栅极绝缘膜亦受到蚀刻。结果，导致栅极绝缘膜的残膜量不均且所制造的薄膜晶体管的动作特性不稳定等问题。亦有不易控制该斜面形状的问题。完成电极材料叠层后，在第一蚀刻步骤中以SF6/O2作为蚀刻气体而蚀刻栅极电极材料直到底层的栅极绝缘膜露出为止。接着在第二蚀刻步骤中以选择比良好的C12/O2作为蚀刻气体，而在使保护膜灰化的同时蚀刻残余的栅极电极材料。使用ICP装置时，在第一蚀刻步骤中，只使用电感等离子体源进行蚀刻，而在第二蚀刻步骤中，使用电感等离子体源和偏压等离子体源进行蚀刻。通过该种方法，可以高精确度地控制斜面形状。
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公开(公告)号：CN1462481A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN02801641.6
申请日：2002-05-16
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1288 , G02F1/13454 , G02F1/136227 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/41733 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 形成贯通栅极绝缘膜(5)的第1接触孔(6)，并于栅极绝缘膜(5)上形成栅极电极(7g)，并同时于第1接触孔内形成第1接触部(7s、7d)。形成贯通层间绝缘(8)膜的第2接触孔(9)，并于第2接触孔(9)内，形成第2接触部(10)。形成贯通平坦化膜(26)的第3接触孔(11)，并于第3接触孔(11)内形成电极(40)。为电气连接电极(40)与半导体膜(3)而利用多个接触孔，各接触孔可缩小长宽比，从而实现成品产率提升、因接触部的上面与底面的面积差降低而带来的高集成化等。
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