公开(公告)号：CN1462481A

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN02801641.6

申请日：2002-05-16

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 米田清 ,  山田努 ,  汤田真次 ,  铃木浩司

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 形成贯通栅极绝缘膜(5)的第1接触孔(6)，并于栅极绝缘膜(5)上形成栅极电极(7g)，并同时于第1接触孔内形成第1接触部(7s、7d)。形成贯通层间绝缘(8)膜的第2接触孔(9)，并于第2接触孔(9)内，形成第2接触部(10)。形成贯通平坦化膜(26)的第3接触孔(11)，并于第3接触孔(11)内形成电极(40)。为电气连接电极(40)与半导体膜(3)而利用多个接触孔，各接触孔可缩小长宽比，从而实现成品产率提升、因接触部的上面与底面的面积差降低而带来的高集成化等。