公开(公告)号：CN100405610C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03104380.1

申请日：2003-02-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 長谷川勲 ,  鈴木浩司

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/24917

Abstract: 通过使用氢氟酸缓冲液进行蚀刻，在SiO2制成的栅极绝缘薄膜和形成于栅极绝缘薄膜上的由SiN制成的层间绝缘薄膜中形成接触孔。在该接触孔中，形成一电极包括：由耐熔性金属制成的第一保护金属层；形成于第一保护金属层上且由电阻低于耐熔性金属的电阻的金属制成的配线层；以及由耐熔性金属制成的且厚度大于栅极绝缘薄膜厚度的第二保护金属层。

公开(公告)号：CN1444192A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03104144.2

申请日：2003-02-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  鈴木浩司 ,  宫井良雄

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/00 ,  H01L51/20

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/3244 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括由含有铝、铜或银的低电阻金属制成的配线层；和由含有低电阻金属和耐熔性金属的中间相制成的合金层的分层的配线结构。耐熔性金属是钼。还形成了由含有镧系元素的铝合金制成的分层的配线结构，其中合金晶体的数值平均颗粒尺寸为16.9nm或以上。合金晶体的颗粒尺寸可以大于电子的平均自由程，以提供具有降低电阻的分层的配线结构。

公开(公告)号：CN100517422C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03104144.2

申请日：2003-02-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  鈴木浩司 ,  宮井良雄

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/3244 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括由含有铝、铜或银的低电阻金属制成的配线层；和由含有低电阻金属和耐熔性金属的中间相制成的合金层的分层的配线结构。耐熔性金属是钼。还形成了由含有镧系元素的铝合金制成的分层的配线结构，其中合金晶体的数值平均颗粒尺寸为16.9nm或以上。合金晶体的颗粒尺寸可以大于电子的平均自由程，以提供具有降低电阻的分层的配线结构。

公开(公告)号：CN1442838A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03104380.1

申请日：2003-02-10

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 長谷川勲 ,  鈴木浩司

IPC: G09G3/20

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  Y10T428/12528 ,  Y10T428/24917

Abstract: 通过使用氢氟酸缓冲液进行蚀刻，在SiO2制成的栅极绝缘薄膜和形成于栅极绝缘薄膜上的由SiN制成的层间绝缘薄膜中形成接触孔。在该接触孔中，形成一电极包括：由耐熔性金属制成的第一保护金属层；形成于第一保护金属层上且由电阻低于耐熔性金属的电阻的金属制成的配线层；以及由耐熔性金属制成的且厚度大于栅极绝缘薄膜厚度的第二保护金属层。