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公开(公告)号：CN100448030C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200510073455.7
申请日：2005-05-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN1702878A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510073455.7
申请日：2005-05-30
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L29/04 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621
Abstract: 本发明提供可以提高在基板上形成的多个半导体元件的特性、而且使特性均匀的半导体装置。该半导体装置具有基板、和在基板上形成并包含具有在第一方向上流动载流子的沟道区域的半导体层的多个半导体元件。构成多个半导体元件的半导体层在具有双晶面的同时，双晶面形成为沿流过沟道区域的载流子不容易横切双晶面的第二方向延伸。
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公开(公告)号：CN100517422C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN03104144.2
申请日：2003-02-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L23/53219 , H01L27/3244 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括由含有铝、铜或银的低电阻金属制成的配线层；和由含有低电阻金属和耐熔性金属的中间相制成的合金层的分层的配线结构。耐熔性金属是钼。还形成了由含有镧系元素的铝合金制成的分层的配线结构，其中合金晶体的数值平均颗粒尺寸为16.9nm或以上。合金晶体的颗粒尺寸可以大于电子的平均自由程，以提供具有降低电阻的分层的配线结构。
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公开(公告)号：CN1444192A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03104144.2
申请日：2003-02-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/12 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L23/53219 , H01L27/3244 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种包括由含有铝、铜或银的低电阻金属制成的配线层；和由含有低电阻金属和耐熔性金属的中间相制成的合金层的分层的配线结构。耐熔性金属是钼。还形成了由含有镧系元素的铝合金制成的分层的配线结构，其中合金晶体的数值平均颗粒尺寸为16.9nm或以上。合金晶体的颗粒尺寸可以大于电子的平均自由程，以提供具有降低电阻的分层的配线结构。
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