公开(公告)号：CN100517422C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN03104144.2

申请日：2003-02-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 曽谷直哉 ,  鈴木浩司 ,  宮井良雄

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/00 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/3244 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种包括由含有铝、铜或银的低电阻金属制成的配线层；和由含有低电阻金属和耐熔性金属的中间相制成的合金层的分层的配线结构。耐熔性金属是钼。还形成了由含有镧系元素的铝合金制成的分层的配线结构，其中合金晶体的数值平均颗粒尺寸为16.9nm或以上。合金晶体的颗粒尺寸可以大于电子的平均自由程，以提供具有降低电阻的分层的配线结构。