-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1474635A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03145005.9
申请日：2003-06-17
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L51/524
Abstract: 本发明提供一种有机电场发光元件及其制造方法，可有效地防止隔着有机EL元件的阴极的水分的浸入，是在有机EL元件的阴极(40)上，采用与有机EL元件的有机层相同的材料构成应力缓和层(42)，且在该应力缓和层(42)上，采用与阴极(40)相同的材料构成水分阻挡层(44)。这样，不仅可缓和应力，且可有效防止水分的浸入。
-
公开(公告)号：CN1310334C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03145005.9
申请日：2003-06-17
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L27/3244 , H01L51/524
Abstract: 本发明提供一种有机电场发光元件及其制造方法，可有效地防止隔着有机EL元件的阴极的水分的浸入，是在有机EL元件的阴极(40)上，采用与有机EL元件的有机层相同的材料构成应力缓和层(42)，且在该应力缓和层(42)上，采用与阴极(40)相同的材料构成水分阻挡层(44)。这样，不仅可缓和应力，且可有效防止水分的浸入。
-
公开(公告)号：CN100419993C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN02140933.1
申请日：2002-07-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。
-
公开(公告)号：CN1447414A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108857.0
申请日：2003-03-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/311 , H01L21/314 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76807
Abstract: 在层间绝缘膜上形成2段阶梯形开口部时，在用防反射膜的情况下，可以得到能够防止可靠性降低的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具有在防反射膜上所定区域上形成第1防蚀图形的工序、以第1防蚀图形作为掩模，在层间绝缘膜上形成第1开口部的工序、留下防反射膜而除去第1防蚀图形后，在防反射膜上的所定区域内，形成第2防蚀图形的工序、以第2防蚀图形作为掩模，至少在第1开口部的上部，形成比第1开口部开口面积大的第2开口部的工序。
-
公开(公告)号：CN1396649A
公开(公告)日：2003-02-12
申请号：CN02140933.1
申请日：2002-07-10
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76831 , H01L23/485
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，即使在高度集成地设计该半导体器件时也能以高电可靠性形成连接孔。该半导体器件包括下层布线和形成在下层布线上并具有于下层布线连接的连接孔的层间绝缘膜。该方法包括通过刻蚀层间绝缘膜形成连接孔。连接孔使通过以下步骤形成的：在第一刻蚀条件下通过至少在下层布线附近的物理反应，刻蚀部分下层布线，并在保证相对于下层布线的选择率的第二刻蚀条件下，刻蚀部分层间绝缘膜。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
