公开(公告)号：CN1372309A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火,在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时,在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外,该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空,所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高,另一方面,与高真空不同的是室窗120的粘污少,从而能够提高生产率。

公开(公告)号：CN1319879A

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN01112232.3

申请日：2001-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森本佳宏 ,  米田清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 提供一种除去半导体膜上发生的突起使其表面平坦并具有良好特性的半导体装置及其制造方法。在绝缘性基板10上形成a－Si膜12并向该a－Si膜12照射激光14使之熔融再结晶来制成p－Si膜13时,对发生的突起100,通过用入射角度60°～90°照射由离子铣法产生的离子束来除去该突起100,p－Si膜13表面变得平坦,可以在p－Si膜13与栅电极15之间获得足够的绝缘。

公开(公告)号：CN1182565C

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN02125162.2

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森本佳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，对形成于绝缘性基板(10)上的a-Si膜(12)照射激光(14)而成为p-Si膜(13)，而且将该p-Si膜(13)进行高压氧化而形成表面氧化膜(13a)。然后，通过去除该表面氧化膜(13a)，而将p-Si膜(13)表面所产生的突起部(100)的高度降低，可以使p-Si膜(13)的表面平坦。由此，可去除在半导体膜产生的突起而获得使该表面平坦的半导体膜，同时使用该半导体膜而提供具有良好特性的半导体装置。

公开(公告)号：CN1213465C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火，在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时，在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外，该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空，所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高，另一方面，与高真空不同的是室窗120的粘污少，从而能够提高生产率。

公开(公告)号：CN1172352C

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN01112232.3

申请日：2001-03-30

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森本佳宏 ,  米田清

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 提供一种除去半导体膜上发生的突起使其表面平坦并具有良好特性的半导体装置及其制造方法。在绝缘性基板10上形成a-Si膜12并向该a-Si膜12照射激光14使之熔融再结晶来制成p-Si膜13时，对发生的突起100，通过用入射角度60°～90°照射由离子铣法产生的离子束来除去该突起100，p-Si膜13表面变得平坦，可以在p-Si膜13与栅电极15之间获得足够的绝缘。

公开(公告)号：CN1395287A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02125162.2

申请日：2002-06-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森本佳宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/32115 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，对形成于绝缘性基板(10)上的a－Si膜(12)照射激光(14)而成为p－Si膜(13)，而且将该p－Si膜(13)进行高压氧化而形成表面氧化膜(13a)。然后，通过去除该表面氧化膜(13a)，而将p－Si膜(13)表面所产生的突起部(100)的高度降低，可以使p－Si膜(13)的表面平坦。由此，可去除在半导体膜产生的突起而获得使该表面平坦的半导体膜，同时使用该半导体膜而提供具有良好特性的半导体装置。