公开(公告)号：CN1213465C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火，在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时，在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外，该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空，所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高，另一方面，与高真空不同的是室窗120的粘污少，从而能够提高生产率。

公开(公告)号：CN1372309A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火,在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时,在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外,该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空,所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高,另一方面,与高真空不同的是室窗120的粘污少,从而能够提高生产率。