公开(公告)号：CN1213465C

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火，在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时，在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外，该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空，所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高，另一方面，与高真空不同的是室窗120的粘污少，从而能够提高生产率。

公开(公告)号：CN1372309A

公开(公告)日：2002-10-02

申请号：CN02105188.7

申请日：2002-02-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 萩野隆志 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  门前俊夫 ,  尾方秀谦 ,  中西史朗 ,  森本佳宏

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/477

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 利用激光进行的多晶化退火,在提高生产率的同时提高获得的多晶半导体膜的表面平滑性。当激光通过室窗120照射在退火室100内配置的非结晶半导体层上进行多晶化激光退火时,在常温下使退火室形成低真空(1.3×103Pa～1.3Pa)。另外,该气氛中导入氮气、氢气、氩气等稳定气体。由于不是常压而是低真空,所以多晶半导体层的表面的平滑性与高真空退火同样高,另一方面,与高真空不同的是室窗120的粘污少,从而能够提高生产率。

公开(公告)号：CN1681361A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510063259.1

申请日：2005-04-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山田努 ,  今尾和博

IPC: H05B33/08 ,  H05B33/12 ,  H05B3/10 ,  G09G3/30 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1233 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法，可使发光组件的驱动用晶体管的图案尺寸变小，并且可提升显示像素的开口率。驱动用TFT(85)的第二主动层(111)由层积的两层多晶硅层(102P、103P)所构成。上层的多晶硅层(103P)是与构成像素选择用TFT(10)的第一主动层(110)的多晶硅层同时堆积而成的，因此与该多晶硅层具有相同膜厚。因此，第二主动层(111)形成与下层的多晶硅层(102P)的膜厚程度的厚度。第二主动层(111)的平均结晶粒径比第一主动层(110)的平均结晶粒径小。因此，驱动用TFT(85)的载流子迁移率比像素选择用TFT(10)的载流子迁移率小。由此，可实现驱动用TFT(85)的短沟道化。

公开(公告)号：CN1604330A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410078176.5

申请日：2004-09-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 西川龙司 ,  今尾和博 ,  胁田贤 ,  米田清

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/15 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  G02F1/136 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的课题为，通过以往的激光回火法使结晶化的多晶硅，因为移动度具备等向性，因此在像素内配置移动度不同的晶体管的情况下，必须使一边的晶体管的大小，相对于另一边的晶体管的大小还大许多。因此使晶体管所占的面积变大，而使开口率下降。本发明的解决手段为，采用于横向结晶的多晶硅来作为晶体管的半导体层，因为此多晶硅的移动度具备异向性，因此通过使一边的晶体管的导电方向与另一边的晶体管的导电方向不同，而可达到，即使采用同一层的半导体层，亦可获得具备不同移动度的晶体管。