公开(公告)号：CN1776911A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125451.9

申请日：2005-11-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳田正道 ,  万代忠男

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7825 ,  H01L27/0266 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/41758 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 一种半导体装置，现有的单片双型MOSFET由于构成使漏极区域共通的两个MOSFET的芯片并列的结构，故漏极区域的电阻值高，装置的导通电阻的降低有限。本发明的半导体装置，将第一源极电极连接的第一MOS晶体管和第二源极电极连接的第二MOS晶体管在一个芯片上相邻交替地配置。在第一源极电极及第二源极电极上分别施加不同的电位，两MOS晶体管通过一个栅极端子进行开关控制。由于电流沿槽周围流动，故可降低导通电阻。

公开(公告)号：CN100454577C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510107043.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 久保博稔 ,  东条润一郎 ,  斋藤洋明 ,  恩田全人 ,  岩田哲 ,  柳田正道

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。

公开(公告)号：CN1773724A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510098147.X

申请日：2005-09-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 柳田正道 ,  久保博稔 ,  东条润一郎 ,  斋藤洋明 ,  恩田全人

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，沟道层通过进行杂质的离子注入及扩散形成，在形成沟道层后，进行栅极氧化膜形成等高温的热处理工序，故产生了杂质浓度分布深，且由于硼的耗尽使杂质浓度分布产生偏差的问题。本发明中，在形成槽、栅极氧化膜及栅极电极后，通过进行加速电压不同的高加速离子注入，形成沟道层。沟道层是不进行基于热处理的扩散的杂质注入层，通过由高加速离子注入机进行多次的离子注入，可使槽深度方向的杂质浓度大致均匀。可降低对特性没有影响的第二区域，因此，得到所需最小限度的深度的沟道层。由此，可使槽较浅，谋求低电容化，可通过减薄外延层，实现低导通电阻化。

公开(公告)号：CN101060133A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710088556.0

申请日：2007-03-16

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 柳田正道 ,  龟山工次郎 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在半导体基板的纵向流过大电流的纵型MOS晶体管或IGBT等半导体装置中，为了使接通电阻变小，需要进行薄膜化。在这种情况下，伴随着热处理只能薄膜化到半导体基板不弯曲的范围，接通电阻的减小有限。在本发明中，在半导体基板(1)的背面侧形成沟孔等的开口部(11)。然后，与该开口部(11)的底部电连接而形成漏极(12)。在这种情况下，由于电流路径对应于开口部(11)的深度而变短，故容易实现低的接通电阻。

公开(公告)号：CN1770468A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107043.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 久保博稔 ,  东条润一郎 ,  斋藤洋明 ,  恩田全人 ,  岩田哲 ,  柳田正道

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。