公开(公告)号：CN1770468A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107043.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 久保博稔 ,  东条润一郎 ,  斋藤洋明 ,  恩田全人 ,  岩田哲 ,  柳田正道

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。

公开(公告)号：CN100454577C

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200510107043.0

申请日：2005-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 久保博稔 ,  东条润一郎 ,  斋藤洋明 ,  恩田全人 ,  岩田哲 ,  柳田正道

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66734

Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。