半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1773724A

    公开(公告)日:2006-05-17

    申请号:CN200510098147.X

    申请日:2005-09-08

    CPC classification number: H01L29/7813 H01L29/1095 H01L29/66734

    Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,沟道层通过进行杂质的离子注入及扩散形成,在形成沟道层后,进行栅极氧化膜形成等高温的热处理工序,故产生了杂质浓度分布深,且由于硼的耗尽使杂质浓度分布产生偏差的问题。本发明中,在形成槽、栅极氧化膜及栅极电极后,通过进行加速电压不同的高加速离子注入,形成沟道层。沟道层是不进行基于热处理的扩散的杂质注入层,通过由高加速离子注入机进行多次的离子注入,可使槽深度方向的杂质浓度大致均匀。可降低对特性没有影响的第二区域,因此,得到所需最小限度的深度的沟道层。由此,可使槽较浅,谋求低电容化,可通过减薄外延层,实现低导通电阻化。

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