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公开(公告)号:CN1770468A
公开(公告)日:2006-05-10
申请号:CN200510107043.0
申请日:2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/42368 , H01L29/66734
Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法,为降低槽型MOSFET的电容,在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是,绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同,可抑止接缝的产生等,可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅,由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用,故可提供低电容的绝缘栅型器件。
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公开(公告)号:CN100454577C
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200510107043.0
申请日:2005-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/42368 , H01L29/66734
Abstract: 一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法,为降低槽型MOSFET的电容,在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是,绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同,可抑止接缝的产生等,可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅,由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用,故可提供低电容的绝缘栅型器件。
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公开(公告)号:CN1773724A
公开(公告)日:2006-05-17
申请号:CN200510098147.X
申请日:2005-09-08
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/1095 , H01L29/66734
Abstract: 一种半导体装置及其制造方法,沟道层通过进行杂质的离子注入及扩散形成,在形成沟道层后,进行栅极氧化膜形成等高温的热处理工序,故产生了杂质浓度分布深,且由于硼的耗尽使杂质浓度分布产生偏差的问题。本发明中,在形成槽、栅极氧化膜及栅极电极后,通过进行加速电压不同的高加速离子注入,形成沟道层。沟道层是不进行基于热处理的扩散的杂质注入层,通过由高加速离子注入机进行多次的离子注入,可使槽深度方向的杂质浓度大致均匀。可降低对特性没有影响的第二区域,因此,得到所需最小限度的深度的沟道层。由此,可使槽较浅,谋求低电容化,可通过减薄外延层,实现低导通电阻化。
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