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公开(公告)号:CN102782878A
公开(公告)日:2012-11-14
申请号:CN201180011129.7
申请日:2011-01-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/076 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/056 , Y02E10/52 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池,其能够提高发电效率,并且能够更多地取出产生的光生载流子。其具有:受光面电极层(2)、层叠在受光面电极层(2)上的第一光电转换部(31)、层叠在第一光电转换部(31)上的包含SiO的反射层(32)、层叠在反射层(32)上的第二光电转换部(33)、和层叠在第二光电转换部(33)上的背面电极层(4),反射层(32)的氧浓度在所述第二光电转换部(33)侧比第一光电转换部(31)侧变高。
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公开(公告)号:CN102473759A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080035878.9
申请日:2010-11-24
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , H01L21/205 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/03685 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/02422 , H01L21/0243 , H01L21/02491 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L31/03762 , H01L31/075 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 使光电转换装置的面板面内的光电转换效率的分散变小。在包括微晶硅光电转换元件(104)的光电转换装置的制造方法中,包括形成i型层(42)的工序,该工序形成第一i型层(42a),而且在第一i型层(42a)上按照与第一i型层(42a)相比结晶率高且结晶率的面内分布变低的条件形成第二i型层(42b),其中所述微晶硅光电转换元件(104)具备p型层(40)、i型层(42)和n型层(44)的层叠结构,所述i型层包括成为发电层的微晶硅层。
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公开(公告)号:CN102473749A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080029751.6
申请日:2010-05-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04 , C23C16/24 , C23C16/509 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/0725 , C23C16/24 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L31/0687 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 当制造依次叠层p型层、i型层、n型层而构成的太阳能电池时,在使含n型掺杂剂的气体的流量与含硅的气体的流量之比为0.03以下、稀释气体的流量与含硅的气体的流量之比为70以上、原料气体的总压力为200Pa以上的成膜条件下,形成n型微晶硅薄膜作为n型层。
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公开(公告)号:CN102084499B
公开(公告)日:2014-02-26
申请号:CN201080002015.1
申请日:2010-02-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/076 , H01L31/0368 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1824 , H01L31/03682 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池,其在面内具有由微结晶硅薄膜构成的发电层,该微结晶硅薄膜具有第一区域和与第一区域相比结晶化率低且载体的寿命高的第二区域。
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公开(公告)号:CN102668111A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080056836.3
申请日:2010-12-13
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0747 , H01L31/077 , Y02E10/50
Abstract: 使光电转换装置中的光电转换效率提高。一种光电转换装置,包括光电转换单元,该光电转换单元层叠有含p型掺杂剂的p型层(40)、作为成为发电层的微晶硅层的i型层(42)和包含n型掺杂剂的n型层(44),其中,p型层(40)具有第一p型层(40a)和第二p型层(40b)的层叠结构,上述第一p型层(40a)是微晶硅层,上述第二p型层(40b)配置在微晶硅p型层(40a)与i型层(42)之间,并且包括非晶硅p型层和非晶碳化硅p型层中的至少一个。第二p型层(40b)在i型层(42)一侧具备氧化层。
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公开(公告)号:CN102084499A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN201080002015.1
申请日:2010-02-25
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/075 , H01L31/0368 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1824 , H01L31/03682 , H01L31/076 , Y02E10/545 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种薄膜太阳能电池,其在面内具有由微结晶硅薄膜构成的发电层,该微结晶硅薄膜具有第一区域和与第一区域相比结晶化率低且载体的寿命高的第二区域。
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