公开(公告)号：CN100401531C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200410099717.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管和其制造方法。薄膜晶体管包括：形成在衬底上的金属催化剂层，和依次形成在金属催化剂层上的第一帽盖层和第二帽盖层图案。方法包括：在金属催化剂层上形成第一帽盖层，在第一帽盖层上形成并构图第二帽盖层，在已构图的第二帽盖层上形成非晶硅层，扩散金属催化剂，以及结晶非晶硅层形成多晶硅层。以均匀的低浓度扩散结晶催化剂以控制催化剂形成的籽晶的位置，以使得在多晶硅层中的沟道区接近于单晶。因此，薄膜晶体管器件的特性可以得到提高并变得均匀。

公开(公告)号：CN101165881A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710106343.6

申请日：2007-05-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种制造CMOS薄膜晶体管的方法，包括：提供衬底；在衬底上形成无定形硅层；在衬底上执行第一退火处理以及使无定形硅层结晶成多晶硅层；形成多晶硅层的图案以形成第一和第二半导体层；把第一杂质植入第一和第二半导体层；把第二杂质植入第一或第二半导体层；以及在半导体层上执行第二退火处理以除去残留在植入有第二杂质的第一或第二半导体层中的金属催化剂，其中按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入第一杂质，并且按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入第二杂质。

公开(公告)号：CN1716635A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081329.6

申请日：2005-06-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括具有第一区域和第二区域的衬底、形成于第一区域和第二区域中的半导体层图案、形成于第一区域的半导体层图案的沟道区域上的第一栅极绝缘层图案。第二栅极绝缘层图案形成于衬底上，第一导电层图案形成于第一区域的沟道区域和第二区域的半导体层图案之上，层间绝缘层形成于衬底上。第二导电层图案形成于第一区域中和第二区域的第一导电层图案上。第一区域的第二导电层图案通过第二栅极绝缘层和层间绝缘层耦合至第一区域的半导体层图案。

公开(公告)号：CN1713397A

公开(公告)日：2005-12-28

申请号：CN200410075887.7

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  李基龙 ,  梁泰勋 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1296 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在薄膜晶体管中，在半导体层图案而不是在结区中存在晶种或晶粒边界。该法包括形成半导体层图案。该形成的半导体层图案，包括：在非晶硅层上形成和图案化第一覆盖层；在第一覆盖层图案上形成第二覆盖层；在第二覆盖层上形成金属催化剂层；扩散金属催化剂；以及结晶非晶硅层以形成多晶硅层。因此，可以阻止在结区中产生阱，从而获得改善的和均匀特性的器件。

公开(公告)号：CN101388402A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810146281.6

申请日：2008-08-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 姜哲圭 ,  朴炳建

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供一种有机发光显示器及其制造方法。一种有机发光显示器包括：形成在基板上且连接到晶体管的有机发光二极管；形成在所述基板上并包括半导体层的光电二极管，所述半导体层包括高浓度P掺杂区、高浓度N掺杂区和具有缺陷的本征区；和控制器，该控制器通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到第一电极和第二电极的电压，来均匀地控制所述有机发光二极管发出的光的亮度。

公开(公告)号：CN101373792A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810212607.0

申请日：2008-08-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。

公开(公告)号：CN1716633A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN101335302A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101330004A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128532.8

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李吉远

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02694 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供制造多晶硅(poly－Si)层的方法，包括：提供基板，在该基板上形成非晶硅(a－Si)层，在该非晶硅层上形成厚度约为10至50的热氧化层，以及将该基板退火以采用金属催化剂层的金属催化剂将非晶硅层晶化为多晶硅层。因此，该非晶硅层可以通过超晶粒硅(SGS)晶化方法晶化为多晶硅层。而且，该热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而可以省略SGS晶化方法所需的形成盖层的附加工艺，由此简化了制造工艺。本发明还涉及薄膜晶体管、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN101211985A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710306610.4

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281

Abstract: 本发明提供了一种通过减少留在半导体层中的晶化诱导金属的量而能够改进电学特性和漏电流特性的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基底上形成第一非晶硅层；通过利用晶化诱导金属使第一非晶硅层晶化为第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成第二非晶硅层；向第二非晶硅层中注入杂质；将第一多晶硅层和第二非晶硅层退火。第一多晶硅层中的晶化诱导金属被转移到第二非晶硅层中，第二非晶硅层被晶化为第二多晶硅层。