公开(公告)号：CN101335302A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810131753.0

申请日：2008-06-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  朴炳建 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管和有机发光二极管显示器以及它们的制造方法。该薄膜晶体管包括：基板；半导体层，设置在所述基板上，包括沟道区以及源和漏区，且利用金属催化剂被结晶；栅电极，设置得对应于所述半导体层的预定区域；栅绝缘层，设置在所述栅电极和所述半导体层之间以使所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源和漏电极，分别电连接到所述半导体层的所述源和漏区。在所述半导体层的所述沟道区中，在垂直方向上距所述半导体层的表面150以内的所述金属催化剂形成得具有超过0且不超过6.5×1017原子每cm3的浓度。所述有机发光二极管显示器包括该薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN101330004A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810128532.8

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建 ,  李吉远

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02694 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明提供制造多晶硅(poly－Si)层的方法，包括：提供基板，在该基板上形成非晶硅(a－Si)层，在该非晶硅层上形成厚度约为10至50的热氧化层，以及将该基板退火以采用金属催化剂层的金属催化剂将非晶硅层晶化为多晶硅层。因此，该非晶硅层可以通过超晶粒硅(SGS)晶化方法晶化为多晶硅层。而且，该热氧化层可以在非晶硅层的脱氢期间形成，从而可以省略SGS晶化方法所需的形成盖层的附加工艺，由此简化了制造工艺。本发明还涉及薄膜晶体管、其制造方法以及有机发光二极管显示装置。

公开(公告)号：CN101373792A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810212607.0

申请日：2008-08-21

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、一种具有该TFT的有机发光二极管显示装置及其制造方法。该TFT包括：基底；半导体层，设置在基底上并包括沟道区、源区和漏区；栅电极，设置在与半导体层的沟道区对应的位置处；栅极绝缘层，置于栅电极和半导体层之间，以使半导体层与栅电极电绝缘；金属结构，由金属层、金属硅化物层、或者金属层和金属硅化物层的双层组成，所述金属结构与栅电极分隔开，并在半导体层的上方或下方设置在与半导体层的除了沟道区的区域对应的位置处，所述金属结构由与栅电极的材料相同的材料形成；源电极和漏电极，电连接到半导体层的源区和漏区。

公开(公告)号：CN101315883A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810108798.6

申请日：2008-06-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李基龙

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明提供制作多晶硅层的方法，包括：在衬底上形成非晶硅层；利用结晶诱导金属使非晶硅层结晶为多晶硅层；形成与多晶硅层中沟道区之外的区域相对应的多晶硅层的上方和下方接触的金属层图案或者金属硅化物层图案；以及退火该衬底以将存在于多晶硅层沟道区中的结晶诱导金属吸到具有金属层图案或者金属硅化物层图案的多晶硅层区域。此外，存在于多晶硅沟道区中的结晶诱导金属可以有效地去除，并且从而可以制作具有改良泄露电流特性的薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的OLED显示装置。