公开(公告)号：CN110349849B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN201910163957.0

申请日：2019-03-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 韩铅沃 ,  郑元雄 ,  朴金锡 ,  朴判贵 ,  柳廷昊 ,  赵润贞 ,  孔炳九 ,  金美柾 ,  李真旭 ,  张彰恩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  F17C1/04 ,  F17D1/02 ,  F17D3/01

Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。

公开(公告)号：CN110349849A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910163957.0

申请日：2019-03-05

Applicant: 三星电子株式会社 ,  爱思开新材料有限公司

Inventor： 韩铅沃 ,  郑元雄 ,  朴金锡 ,  朴判贵 ,  柳廷昊 ,  赵润贞 ,  孔炳九 ,  金美柾 ,  李真旭 ,  张彰恩

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  F17C1/04 ,  F17D1/02 ,  F17D3/01

Abstract: 提供了气体存储罐、沉积系统和制造半导体装置的方法。所述制造半导体装置的方法包括以下步骤：将存储一氯硅烷的气体存储罐设置在气体供应单元内；以及将一氯硅烷从气体存储罐供应到处理腔室中以在处理腔室中形成含硅层。气体存储罐包括锰。

公开(公告)号：CN119698059A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202410955717.5

申请日：2024-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金大湜 ,  金善培 ,  权兑勇 ,  金昶熹 ,  李斗铉 ,  姜在玄 ,  朴珍煐 ,  朴贤镐 ,  刘智旼 ,  李真旭 ,  黄胜贤

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，其包括有源区域；栅极结构，其位于所述衬底上；多个沟道层，其在所述有源区域上彼此间隔开并且被所述栅极结构围绕；源极/漏极区域，其在所述栅极结构的至少一侧位于所述有源区域凹陷的区域中并且连接到所述多个沟道层；以及接触插塞，其使所述源极/漏极区域从所述源极/漏极区域的上表面部分地凹陷、电连接到所述源极/漏极区域、并且包括沿着所述源极/漏极区域的凹陷表面的金属半导体化合物层和位于所述金属半导体化合物层上的接触导电层，其中，所述金属半导体化合物层在所述接触导电层的侧表面上具有第一厚度并且在所述接触插塞的底表面上具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度。

公开(公告)号：CN119562758A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410932156.7

申请日：2024-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李睿璱 ,  闵淙渶 ,  郑圭镐 ,  朴晙晰 ,  白智睿 ,  李真旭

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 集成电路器件包括：下部电极；覆盖所述下部电极的电介质膜；覆盖所述电介质膜的上部电极；以及在所述电介质膜和所述上部电极之间的多层界面结构，其中所述多层界面结构包括：包括Al原子分散于其中的过渡金属氧化物层的过渡金属‑铝(Al)复合氧化物层，所述过渡金属‑Al复合氧化物层与所述电介质膜接触；和包括金属氧化物或金属氧氮化物的上部界面层，所述上部界面层与所述过渡金属‑Al复合氧化物层接触。

公开(公告)号：CN118055693A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311417245.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  李真旭 ,  闵淙渶 ,  白智叡 ,  李叡璱

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 一种电容器结构包括：下电极、下电极上的介电图案、介电图案上的界面结构、以及界面结构上的上电极。介电图案包括具有4个价电子的金属的氧化物。界面结构包括第一界面图案和第二界面图案，第一界面图案包括掺杂有氮的第一金属氧化物，第二界面图案包括第二金属氧化物。

公开(公告)号：CN119545789A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411142046.7

申请日：2024-08-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李真旭 ,  闵淙渶 ,  郑圭镐 ,  朴晙晳 ,  白智叡 ,  李叡璱

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 提供了一种集成电路器件及制造集成电路器件的方法。集成电路器件包括位于衬底上的晶体管和电连接到晶体管的电容器结构。电容器结构包括下电极、位于下电极上的下界面膜、位于下界面膜上的电容器电介质膜、位于电容器电介质膜上的上界面膜以及位于上界面膜上的上电极。下界面膜包括：第一下界面层，包括掺杂有杂质的金属氧化物；第二下界面层，包括与第一下界面层的材料基本相同的材料并掺杂有氮；和第三下界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮，上界面膜包括：第一上界面层，包括金属氧化物；第二上界面层，包括与第一上界面层的材料相同的材料并掺杂有氮；和第三上界面层，包括与电容器电介质膜的材料相同的材料并掺杂有氮。

公开(公告)号：CN119451563A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410597507.3

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  李艺瑟 ,  闵淙渶 ,  朴晙晳 ,  白智叡 ,  李真旭

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：位于衬底上的着陆焊盘；下电极，下电极在着陆焊盘上沿垂直方向延伸，下电极连接到着陆焊盘；位于下电极上的电容器电介质层；位于下电极与电容器电介质层之间的掺杂层，掺杂层与下电极和电容器电介质层中的每一者接触，掺杂层掺杂有第一材料、第二材料和第三材料，第一材料具有三个价电子，第二材料具有四个价电子，并且第三材料具有五个价电子；以及位于电容器电介质层上的上电极。

公开(公告)号：CN117355132A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310779989.X

申请日：2023-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  闵淙渶 ,  白智睿 ,  李睿璱 ,  李真旭 ,  郑昌和

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造集成电路器件的方法，可以包括：在衬底之上形成多个下电极；形成被配置为支撑多个下电极的支撑体；在多个下电极和支撑体上形成介电膜；以及在介电膜上形成上电极。介电膜可以包括在多个下电极的每个的外表面和支撑体的外表面上的下泄漏电流防止层、在下泄漏电流防止层上的第一电容器材料层、在第一电容器材料层上的上材料层以及在上材料层上的第二电容器材料层。

公开(公告)号：CN117355133A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310793937.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑圭镐 ,  闵淙渶 ,  白智睿 ,  李睿璱 ,  李真旭 ,  崔原湜

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 一种集成电路器件可以包括在衬底上方的多个下电极、在所述多个下电极之间的支撑件、在所述多个下电极上的上电极、以及在上电极和所述多个下电极之间的电容器电介质膜。支撑件可以包括金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种。电容器电介质膜的一部分可以包括掺杂剂。电容器电介质膜的所述一部分中的掺杂剂和支撑件中的金属可以是相同的金属。