公开(公告)号：CN101271960A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200710185759.1

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  朴柱哲

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通过供应第二源到下层上而形成非掺杂的上层。形成上层和下层使得该上层和下层的晶格不同。

公开(公告)号：CN101075660A

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200710096514.1

申请日：2007-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李殷成 ,  朴永俊 ,  朴商喆 ,  南政圭 ,  朴柱哲

IPC: H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01M14/00 ,  H01G9/20 ,  H01G9/04 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2013 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/542

Abstract: 本发明公开了一种通过抑制电子的再结合反应而改善光电转换效率的半导体电极。该半导体电极包括由衬底和涂敷于该衬底上的导电材料组成的透明电极，以及形成于该透明电极上的金属氧化物层，其中金属氧化物层含有磷酸酯。本发明另外公开了使用该半导体电极的太阳能电池。

公开(公告)号：CN101271960B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200710185759.1

申请日：2007-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申雄澈 ,  朴柱哲

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及一种相变材料层及其形成方法，相变存储器件及其形成方法。该相变材料层是包括上层部分和下层部分的单层。上层部分和下层部分的的晶格是不同的。相变材料层通过供应带有掺杂气体的第一源到衬底形成掺杂的下层而形成。停止该掺杂气体的供应并且通过供应第二源到下层上而形成非掺杂的上层。形成上层和下层使得该上层和下层的晶格不同。

公开(公告)号：CN1769244A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510075559.1

申请日：2005-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴柱哲 ,  崔时卿 ,  郑元雄

IPC: C04B41/50 ,  C04B35/462 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/40 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1245 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691

Abstract: 本发明提供一种形成铁电体薄膜的方法，用于抑制a－畴的形成并提供充分的层覆盖。该方法包括将具有空切(miscut)表面的基材浸到反应溶液中，所述反应溶液包括钙钛矿型铁电体的前体化合物和水；及在低于钙钛矿型铁电体的相变温度的温度下，在反应溶液中进行水热反应，从而在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体薄膜。