公开(公告)号：CN108123027B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201711226363.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 林佑昶 ,  李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: H10N50/10 ,  G11C11/16

Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。

公开(公告)号：CN111527546B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980007054.1

申请日：2019-01-22

Applicant: 高丽大学校产学协力团

Inventor： 李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 公开一种磁性存储器及其磁化切换方法。根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括：磁性隧道结，包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层；第一导电线，与自由层相邻地设置；以及第二导电线，与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤：对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流；以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转，且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。

公开(公告)号：CN111527546A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201980007054.1

申请日：2019-01-22

Applicant: 高丽大学校产学协力团

Inventor： 李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括：磁性隧道结，包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层；第一导电线，与自由层相邻地设置；以及第二导电线，与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤：对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流；以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转，且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。

公开(公告)号：CN1674099A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410103738.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭 ,  李炅珍 ,  洪寿烈

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。

公开(公告)号：CN1558422A

公开(公告)日：2004-12-29

申请号：CN200410003614.1

申请日：2004-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅珍 ,  朴玩濬

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: B82Y25/00 ,  H01F10/324

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。

公开(公告)号：CN108123027A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711226363.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校 ,  产学协力团

Inventor： 林佑昶 ,  李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。

公开(公告)号：CN1763847A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200410104730.2

申请日：2004-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅珍 ,  金庸洙

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/72

Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括下层和上层之间的垂直磁记录层，其中垂直磁记录层的厚度在K＞105erg/cm3且的情况下由等式7确定，在K＞105erg/cm3，且的情况下由等式9确定。该垂直磁记录介质包括甚至在K值大和能垒不遵循KV时仍具有热稳定厚度的垂直磁记录层。这样，记录在该垂直磁记录介质上的数据能保存超过十年。

公开(公告)号：CN1226722C

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN02101586.4

申请日：2002-01-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李炅珍 ,  李宅东 ,  李仁善 ,  黄玟植

IPC: G11B5/62

CPC classification number: G11B5/64 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层，它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间，且该垂直磁记录层的厚度被控制在大于等于5nm、小于30nm之内以具有一个负的成核场。

公开(公告)号：CN1366298A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN02101586.4

申请日：2002-01-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李炅珍 ,  李宅东 ,  李仁善 ,  黄玟植

IPC: G11B5/62

CPC classification number: G11B5/64 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12854 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。

公开(公告)号：CN115707254A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210693231.X

申请日：2022-06-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 朴炳国 ,  朴正宪 ,  李炅珍 ,  柳淀春

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。