公开(公告)号：CN108123027B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201711226363.7

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  高丽大学校产学协力团

Inventor： 林佑昶 ,  李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: H10N50/10 ,  G11C11/16

Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。

公开(公告)号：CN111527546B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201980007054.1

申请日：2019-01-22

Applicant: 高丽大学校产学协力团

Inventor： 李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: G11C11/16 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 公开一种磁性存储器及其磁化切换方法。根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括：磁性隧道结，包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层；第一导电线，与自由层相邻地设置；以及第二导电线，与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤：对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流；以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转，且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。

公开(公告)号：CN111527546A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN201980007054.1

申请日：2019-01-22

Applicant: 高丽大学校产学协力团

Inventor： 李炅珍 ,  高京椿 ,  李升宰

IPC: G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 根据本发明一个实施例的一种磁性存储器包括：磁性隧道结，包括自由层、参考层及设置在自由层与参考层之间的隧道势垒层；第一导电线，与自由层相邻地设置；以及第二导电线，与自由层相邻地设置且与第一导电线交叉。一种磁性存储器的磁化切换方法包括以下步骤：对第一导电线施加具有第一频率的交流型第一电流；以及对第二导电线施加具有第一频率的交流型第二电流。自由层使用交流型第一电流及交流型第二电流执行磁化反转，且磁性隧道结设置在第一导电线与第二导电线之间的交叉点上。