公开(公告)号：CN100351906C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200410103738.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭 ,  李炅珍 ,  洪寿烈

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。

公开(公告)号：CN1674099A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200410103738.7

申请日：2004-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴薰翔 ,  李丙圭 ,  李炅珍 ,  洪寿烈

IPC: G11B5/66

CPC classification number: G11B5/667 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。