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公开(公告)号：CN1674099A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410103738.7
申请日：2004-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/653 , G11B5/656 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种具有基底上的垂直磁记录层和在基底与垂直磁记录层之间形成的软下层的垂直磁记录介质。在所提供的垂直磁记录介质中，软下层包括多个具有不同饱和磁化强度的软下层，以及至少一个在径向上具有易磁化轴的软下层。由于所提供的垂直磁记录层具有包括多个不同饱和磁化强度的软下层，信噪比被提高。此外，形成软下层，以便在径向上具有易磁化轴，因此传输噪声被提高。
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公开(公告)号：CN1558422A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410003614.1
申请日：2004-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , H01F10/324
Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器。该磁阻随机存取存储器包括一个磁化矢量方向为固定的第一磁性层，一个在位置上与第一磁性层平行、一个磁化矢量方向可以被反转的第二磁性层，插入第一磁性层和第二磁性层之间的非磁性层，该第二磁性层的纵横比为2或更小，厚度为5nm或更小，饱和磁化强度为800emu/cm3或更小。磁阻随机存取存储器具有无转折点、磁致电阻的特性，因而表现了无需考虑处理能力的高选择性。
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公开(公告)号：CN108123027A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711226363.7
申请日：2017-11-29
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , H01L27/222 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。
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公开(公告)号：CN1763847A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410104730.2
申请日：2004-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括下层和上层之间的垂直磁记录层，其中垂直磁记录层的厚度在K＞105erg/cm3且的情况下由等式7确定，在K＞105erg/cm3，且的情况下由等式9确定。该垂直磁记录介质包括甚至在K值大和能垒不遵循KV时仍具有热稳定厚度的垂直磁记录层。这样，记录在该垂直磁记录介质上的数据能保存超过十年。
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公开(公告)号：CN1226722C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02101586.4
申请日：2002-01-10
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层，它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间，且该垂直磁记录层的厚度被控制在大于等于5nm、小于30nm之内以具有一个负的成核场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1366298A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN02101586.4
申请日：2002-01-10
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/64 , Y10S428/90 , Y10T428/12465 , Y10T428/12854 , Y10T428/265
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质具有一个用于引起一个垂直磁记录层的垂直取向的底层,它被叠置在一个基底与该垂直磁记录层之间,且该垂直磁记录层的厚度被控制在5－40nm之内以具有一个负的成核场。
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公开(公告)号：CN108123027B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201711226363.7
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 高丽大学校产学协力团
Abstract: 实施例提供一种磁存储器件以及一种写磁存储器件的方法。所述磁存储器件包括磁隧道结和第一导线，所述磁隧道结具有自由层、参考层以及在自由层和参考层之间的隧道阻挡层，所述第一导线与自由层相邻。具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流流动通过第一导线。所述写方法包括：将具有随时间减小的频率的第一自旋轨道电流施加到第一导线。
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公开(公告)号：CN115707254A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210693231.X
申请日：2022-06-17
Abstract: 一种磁性存储器件包括：导电线，所述导电线在第一方向上延伸；磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构位于所述导电线的第一表面上，所述磁性隧道结结构包括至少两个磁性图案和位于所述至少两个磁性图案之间的阻挡图案；以及磁性层，所述磁性层位于所述导电线的与所述第一表面相对的第二表面上。所述磁性层包括在与所述第二表面平行并与所述第一方向相交的方向上的磁化分量。
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公开(公告)号：CN1238840C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03147266.4
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/656 , G11B5/667 , G11B5/7325 , G11B5/74 , G11B2005/0005 , G11B2005/001 , G11B2005/0029
Abstract: 提供一种垂直磁记录介质，具有良好的热稳定性和高的记录密度。垂直磁记录介质至少包括第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质。第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理/磁特性，并由补偿不同物理/磁特性的材料形成。第一和第二垂直磁记录层选自以下各层：用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于降低晶粒大小的层、用于降低磁畴大小的层、用于增加SNR的层、用于改进信号输出的层、用于降低噪音的层、用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。
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公开(公告)号：CN115835763A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210933196.4
申请日：2022-08-04
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器(MRAM)装置包括：自旋轨道矩结构，包括氧化物层图案、铁磁图案和非磁性图案的堆叠件；以及位于自旋轨道矩结构上的磁隧道结(MTJ)结构，MTJ结构包括自由层图案、隧道势垒图案和钉扎层图案的堆叠件，其中，自旋轨道矩结构沿平行于自旋轨道矩结构的上表面的第一方向延伸，铁磁图案包括水平磁性材料，并且自由层图案具有在垂直于自旋轨道矩结构的上表面的垂直方向上的磁化方向，磁化方向可响应于在自旋轨道矩结构中产生的自旋电流而变化。
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