公开(公告)号：CN109749743A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811319973.6

申请日：2018-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  秀博瑞殷株式会社

Inventor： 韩勋 ,  裴相元 ,  洪荣泽 ,  朴宰完 ,  李珍旭 ,  林廷训

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/311

Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。

公开(公告)号：CN116482935A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202211535262.9

申请日：2022-12-02

Applicant: 三星SDI株式会社 ,  三星电子株式会社

Inventor： 文炯朗 ,  金荣权 ,  许伦旼 ,  李旻映 ,  金旼秀 ,  李圭原 ,  崔正敏 ,  朴哲弘 ,  高武铉 ,  裴相元 ,  金贞儿

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/004 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/32

Abstract: 本发明涉及一种形成图案的方法。该方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘顺序地涂覆两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，以及对该含金属的抗蚀剂膜进行曝光和显影以形成抗蚀剂图案；或在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物，沿着基板的边缘涂覆用于去除边缘珠粒的组合物，执行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂膜，曝光含金属的抗蚀剂膜，以及用显影液组合物显影以形成抗蚀剂图案，其中，两种类型的用于去除边缘珠粒的组合物和显影液组合物的细节如说明书中所述。

公开(公告)号：CN103295879A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310020701.7

申请日：2013-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权炳昊 ,  李根泽 ,  高镛璿 ,  金弘镇 ,  裴相元 ,  安时庆 ,  梁凖烈 ,  韩索 ,  金保延 ,  洪命基

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/76861

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：形成包含第一金属的第一层；形成包含第二金属的第二层，所述第二层与所述第一层相邻；对所述第一层和第二层的顶面进行研磨；以及使用清洁溶液对所述第一层和第二层进行清洁。所述清洁溶液可包含对所述第一层和第二层进行腐蚀的腐蚀溶液和防止所述第二层被过度腐蚀的抑制剂。