公开(公告)号：CN113862635A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202110737506.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 金润洙 ,  金在员 ,  金海龙 ,  李珍镐 ,  翼白鸟

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/02 ,  C23C16/44 ,  H01L21/762

Abstract: 根据本发明构思的一些实施例的形成材料层的方法可以包括沉积循环，沉积循环包括：在衬底上提供吸附抑制剂；吹扫过量的吸附抑制剂；在衬底上提供金属前体；吹扫过量的金属前体；以及供应反应剂以在衬底上形成材料层。吸附抑制剂可以包括15族元素或16族元素。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN112825259A

公开(公告)日：2021-05-21

申请号：CN202011237357.3

申请日：2020-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  哈佛大学的校长及成员们

Inventor： 李珉贤 ,  H.张 ,  D.哈姆 ,  C.刘 ,  H.欣顿 ,  金海龙 ,  申铉振

IPC: G11C13/00 ,  G11C11/54 ,  G11C13/04 ,  G06N3/04 ,  G06N3/067 ,  G06N3/08

Abstract: 一种非易失性存储器件，包括：电阻切换层；在电阻切换层上的栅极；在电阻切换层与栅极之间的栅极氧化层；以及在电阻切换层上并彼此隔开的源极和漏极。电阻切换层的电阻值基于照射在电阻切换层上的光的照度而改变，并保持为改变后的电阻值。

公开(公告)号：CN105742358A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510765524.4

申请日：2015-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  李载昊 ,  金海龙

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了电子器件及其制造方法。该电子器件包括2D材料层以及彼此间隔开的第一电极和第二电极。2D材料层连接第一电极和第二电极。2D材料层包括多个2D纳米材料。2D纳米材料中的至少一些彼此交叠。

公开(公告)号：CN112768436B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H10N97/00

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。

公开(公告)号：CN112993022B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202011144164.3

申请日：2020-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  朴正敏 ,  金容诚 ,  李周浩

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H10N97/00 ,  H10B12/00 ,  H10B53/00 ,  H01L21/02

Abstract: 提供了一种包括铪氧化物的膜结构、包括该膜结构的电子器件和制造该膜结构的方法。包括铪氧化物的该膜结构包括：铪氧化物层，其包括结晶成四方晶相的铪氧化物；以及第一应力源层和第二应力源层，其彼此隔开且其间具有铪氧化物层并且向铪氧化物层施加压缩应力。

公开(公告)号：CN109285847B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN201810154273.X

申请日：2018-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金海龙 ,  李载昊 ,  赵常玹 ,  申铉振

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种光电转换元件以及包括该光电转换元件的光学传感器。光电转换元件可以包括多个晶格堆叠，该多个晶格堆叠在基板上一个在另一个的顶部上重复地堆叠并配置为具有有效带隙。所述多个晶格堆叠可以每个包括第一有源层和在第一有源层上的第二有源层。第一有源层可以包括具有第一带隙的第一二维材料。第二有源层可以包括具有不与第一带隙重叠的第二带隙的第二二维材料。有效带隙可以基于第一二维材料和第二二维材料的类型、第一有源层和第二有源层的厚度、以及所述多个晶格堆叠的一个在另一个的顶部上重复堆叠的次数来调整。

公开(公告)号：CN114334879A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111180685.9

申请日：2021-10-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  林汉镇 ,  金海龙 ,  朴瑛琳 ,  赵哲珍

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路装置包括：第一电极层，其包括第一金属并且具有第一热膨胀系数；位于第一电极层上的介电层，该介电层包括包含与第一金属不同的第二金属的第二金属氧化物，并且具有小于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数；以及位于第一电极层和介电层之间的第一应力缓冲层，该第一应力缓冲层包括包含第一金属的第一金属氧化物，并且由于第一电极层的热应力和介电层的热应力而形成。

公开(公告)号：CN112993158A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011097721.0

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器结构和一种包括该电容器结构的半导体装置，所述电容器结构包括：下电极，位于基底上；种子层，位于下电极上；介电层，位于种子层上；以及上电极，位于介电层上，其中，介电层包括化学式为ABO3的三元金属氧化物，其中，A和B中的每个独立地为金属，并且种子层包括化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物，化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物中的A和B中的每个是与化学式为ABO3的三元金属氧化物中的A和B相同的金属，0

公开(公告)号：CN112768436A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202010434773.6

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  郑圭镐 ,  金润洙 ,  金海龙 ,  李周浩

IPC: H01L23/64 ,  H01L49/02

Abstract: 本申请公开了一种电容器、存储装置、电子装置和金属氮化物膜的制造方法，其中该电容器包括：下电极，包括由MM'N表示的金属氮化物；在下电极上的电介质层；界面层，在下电极与电介质层之间并且包括由MM'ON表示的金属硝酸盐；以及在电介质层上的上电极，其中M是金属元素，M'是不同于M的元素，N是氮，O是氧。