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公开(公告)号：CN116896978A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310331705.0
申请日：2023-03-30
Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性赫斯勒层，所述半金属性赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性赫斯勒材料。所述半金属性赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
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公开(公告)号：CN117998970A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311474228.X
申请日：2023-11-07
Abstract: 磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括第一磁性层，所述第一磁性层包括赫斯勒化合物。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，其包括多层模板化结构体，所述多层模板化结构体包括配置成将所述赫斯勒化合物模板化和增强所述MRAM堆叠体的隧道磁阻(TMR)的结晶结构。所述第一磁性层形成于所述多层模板化结构体上方。所述多层模板化结构体包括：包括钨‑铝(WAl)的第一二元合金的层、和具有氯化铯(CsCl)结构的第二二元合金的层。所述第二二元合金覆盖所述第一二元合金。
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公开(公告)号：CN117255565A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310728447.X
申请日：2023-06-19
Abstract: 本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层，该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的模板化结构。第一磁性层形成在模板化结构之上。MRAM堆叠还包括形成在模板化结构下方的铬(Cr)层。Cr层配置为增强MRAM堆叠的隧道磁阻(TMR)。
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公开(公告)号：CN118632615A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410259040.1
申请日：2024-03-07
Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。
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公开(公告)号：CN116896977A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310331039.0
申请日：2023-03-30
Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性半赫斯勒层，所述半金属性半赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性半赫斯勒材料。所述半金属性半赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性半赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的半赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性半赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。
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