公开(公告)号：CN117998970A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311474228.X

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊赫蒂亚尔 ,  C·贾格 ,  郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利普

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括第一磁性层，所述第一磁性层包括赫斯勒化合物。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，其包括多层模板化结构体，所述多层模板化结构体包括配置成将所述赫斯勒化合物模板化和增强所述MRAM堆叠体的隧道磁阻(TMR)的结晶结构。所述第一磁性层形成于所述多层模板化结构体上方。所述多层模板化结构体包括：包括钨‑铝(WAl)的第一二元合金的层、和具有氯化铯(CsCl)结构的第二二元合金的层。所述第二二元合金覆盖所述第一二元合金。