公开(公告)号：CN117998970A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311474228.X

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊赫蒂亚尔 ,  C·贾格 ,  郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利普

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括第一磁性层，所述第一磁性层包括赫斯勒化合物。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，其包括多层模板化结构体，所述多层模板化结构体包括配置成将所述赫斯勒化合物模板化和增强所述MRAM堆叠体的隧道磁阻(TMR)的结晶结构。所述第一磁性层形成于所述多层模板化结构体上方。所述多层模板化结构体包括：包括钨‑铝(WAl)的第一二元合金的层、和具有氯化铯(CsCl)结构的第二二元合金的层。所述第二二元合金覆盖所述第一二元合金。

公开(公告)号：CN117255565A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310728447.X

申请日：2023-06-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊赫蒂亚尔 ,  郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利波 ,  C·加格 ,  S-H·杨

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层，该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的模板化结构。第一磁性层形成在模板化结构之上。MRAM堆叠还包括形成在模板化结构下方的铬(Cr)层。Cr层配置为增强MRAM堆叠的隧道磁阻(TMR)。

公开(公告)号：CN117412606A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202310848586.6

申请日：2023-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： D·阿帕尔科夫 ,  伊赫蒂亚尔 ,  郑在佑

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/20 ,  H10N50/01 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了一种自旋轨道转矩磁性随机存取存储器(SOT‑MRAM)器件及其制造方法，该SOT‑MARM器件包括衬底、在衬底之上的自旋轨道转矩线、在自旋轨道转矩线之上的复合金属氧化物籽晶层以及在复合金属氧化物籽晶层之上的磁隧道结。磁隧道结包括在复合金属氧化物籽晶层之上的自由层、在自由层之上的主隧道势垒层以及在主隧道势垒层之上的被钉扎层。