公开(公告)号：CN117255565A

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202310728447.X

申请日：2023-06-19

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊赫蒂亚尔 ,  郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利波 ,  C·加格 ,  S-H·杨

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠、制造MRAM堆叠的方法和MRAM阵列。MRAM堆叠包括包含赫斯勒化合物的第一磁性层。MRAM堆叠还包括一个或更多个籽晶层，该一个或更多个籽晶层包括具有配置为模板化赫斯勒化合物的晶体结构的模板化结构。第一磁性层形成在模板化结构之上。MRAM堆叠还包括形成在模板化结构下方的铬(Cr)层。Cr层配置为增强MRAM堆叠的隧道磁阻(TMR)。

公开(公告)号：CN118632615A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410259040.1

申请日：2024-03-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 伊克蒂亚尔 ,  C·加格 ,  郑在佑 ,  P·C·菲利波 ,  M·萨曼特 ,  S-H·杨

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 本发明涉及磁性随机存取存储器(MRAM)堆叠体、制造MRAM堆叠体的方法、MRAM阵列、计算机系统、和MRAM器件。所述MRAM堆叠体包括：包括赫斯勒化合物的第一磁性层。所述MRAM堆叠体还包括一个或多个种子层，所述种子层包括配置为将所述赫斯勒化合物模板化的包括结晶结构的模板化结构体。所述第一磁性层形成在所述模板化结构体上方。所述模板化结构体包括第一二元合金的层，所述第一二元合金包括铂‑铝(PtAl)。

公开(公告)号：CN116896977A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310331039.0

申请日：2023-03-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利波 ,  S·法利夫 ,  C·加格 ,  Y·费兰特

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性半赫斯勒层，所述半金属性半赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性半赫斯勒材料。所述半金属性半赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性半赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的半赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性半赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。

公开(公告)号：CN120018513A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411453463.3

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： S-H·杨 ,  M·G·萨曼特 ,  P·C·菲利普 ,  C·加格 ,  F·伊赫蒂亚尔 ,  J·郑

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01

Abstract: 提供了用于利用自旋转移矩的MRAM器件的方法和装置。一种器件包括：衬底；在衬底上方形成的MTJ，MTJ包括参考层、隧道势垒层和自由层；以及在MTJ的自由层上方形成的PSM层。PSM层(即，手性材料层)可以被形成为与MTJ的自由层相邻(或与TBL相邻，TBL与自由层相邻)，从而提供自旋转移矩的附加源，并提供可用较低切换电流操作的MTJ器件。

公开(公告)号：CN116896978A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310331705.0

申请日：2023-03-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 郑在佑 ,  M·萨曼特 ,  P·C·菲利普 ,  S·法利夫 ,  C·加格 ,  Y·费兰特

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明涉及磁阻式随机存取存储器单元和形成其的方法、磁阻式随机存取存储器阵列和操作其的方法。磁阻式随机存取存储器单元包括模板层。所述模板层包括具有交替层晶格结构的二元合金。所述单元进一步包括半金属性赫斯勒层，所述半金属性赫斯勒层包括具有四方晶格结构的半金属性赫斯勒材料。所述半金属性赫斯勒层位于所述模板层的外侧，并且具有与所述半金属性赫斯勒材料的立方形式的面内晶格常数不同的赫斯勒面内晶格常数。隧道势垒位于所述半金属性赫斯勒层的外侧，并且磁性层位于所述隧道势垒的外侧。

公开(公告)号：CN113795884A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202080034465.2

申请日：2020-06-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·蓬 ,  C·加格

IPC: G11C11/16

Abstract: 三端子器件包括磁性隧道结(MTJ)和自旋轨道扭矩(SOT)生成层。MTJ具有第一磁性层、位于第一磁性层下方的隧道势垒层和位于隧道势垒下方的第二磁性层，其中SOT生成层直接位于第二磁性层下方。第二磁性层具有非对称的形状，使得与第二磁性层相关联的残余状态的平均磁化具有与SOT生成层中的电流方向正交的平面内分量。