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公开(公告)号：CN113795884A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080034465.2
申请日：2020-06-05
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： T·蓬 , C·加格
IPC: G11C11/16
Abstract: 三端子器件包括磁性隧道结(MTJ)和自旋轨道扭矩(SOT)生成层。MTJ具有第一磁性层、位于第一磁性层下方的隧道势垒层和位于隧道势垒下方的第二磁性层，其中SOT生成层直接位于第二磁性层下方。第二磁性层具有非对称的形状，使得与第二磁性层相关联的残余状态的平均磁化具有与SOT生成层中的电流方向正交的平面内分量。
