半导体器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109216543B

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN201810730781.8

    申请日:2018-07-05

    Abstract: 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。

    可变电阻存储器装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN111009546A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910949959.2

    申请日:2019-10-08

    Abstract: 本申请提供了一种可变电阻存储器装置及其制造方法,所述方法包括:在衬底上形成存储器单元的阵列,其中,各个存储器单元包括可变电阻结构和开关元件;以及形成覆盖开关元件的侧壁的侧壁绝缘层。形成侧壁绝缘层的步骤包括:向开关元件的暴露的侧壁供应硅源的预备步骤;以及执行工艺循环多次的主步骤,工艺循环包括供应硅源和供应反应气体。在预备步骤中供应硅源的持续时间长于在主步骤中的工艺循环中供应硅源的持续时间。

    可变电阻存储装置
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113921705A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202110400679.3

    申请日:2021-04-14

    Abstract: 一种可变电阻存储装置包括:第一导电线,所述第一导电线在第一方向上延伸;第二导电线,所述第二导电线在第二方向上延伸并且在所述可变电阻存储装置的俯视图中与所述第一导电线交叉;以及单元结构,所述单元结构在所述俯视图中分别设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。每个所述单元结构包括开关图案、可变电阻图案以及设置在所述开关图案和所述第一导电线之间的第一电极,所述第一电极包含碳。每条所述第一导电线包括位于其上部的上图案,所述上图案包含金属氮化物。所述上图案与所述第一电极的底表面接触。

    可变电阻存储器装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009545A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910917787.0

    申请日:2019-09-26

    Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置,所述可变电阻存储器装置包括:设置在衬底上的可变电阻图案;第一氮化物层,其覆盖可变电阻图案的至少一部分;以及第二氮化物层,其形成在第一氮化物层上,其中,第一氮化物层中的氮含量小于第二氮化物层中的氮含量。

    使用单个串行编程接口控制多入多出系统的方法和设备

    公开(公告)号:CN1794608A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510132822.6

    申请日:2005-12-22

    CPC classification number: H04B7/04

    Abstract: 提供了一种用于使用单个串行编程接口(SPI)控制具有多个RF块的多入多出(MIMO)射频(RF)收发器的方法和设备。该MIMO系统包括:MIMO收发器,具有一个或多个输入和输出单元以及控制所述输入和输出单元串行接口转换单元;和控制器,控制MIMO收发器。串行接口转换单元经由串行编程接口(SPI)从控制器接收控制数据,将接收的控制数据解码为具有适于控制输入和输出单元的格式,并将从输入和输出单元接收的数据编码为与SPI兼容。因此,可实现具有简单结构的小尺寸MIMO系统,并且可减小在控制MIMO系统的多个RF块的处理中发生的错误的概率。

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