公开(公告)号：CN102244172B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110124931.9

申请日：2011-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高炯德 ,  杨丁子 ,  金裕承 ,  成演准 ,  郑守珍 ,  金大天 ,  李秉权

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括发光结构和图案。发光结构包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。图案形成在所述发光结构的表面中的至少一个光出射表面上。所述图案具有形状相似的多个凸起部件或凹进部件。上面形成有所述图案的所述光出射表面具有多个虚拟参考区域，参考区域尺寸相同并以规则的方式布置。凸起部件或凹进部件设置在参考区域中，使得凸起部件或凹进部件的边缘的一部分与所述多个虚拟参考区域中的一个虚拟参考区域的轮廓线接触。