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公开(公告)号：CN109712664A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN109785892A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811309881.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件，可以包括：存储器单元阵列，包括存储器单元和连接到存储器单元的字线；时钟产生器，被配置为根据系统时钟信号来产生第一泵浦时钟信号；电荷泵，被配置为使用电源电压和第一泵浦时钟信号来提供泵浦电压信号；补偿电路，被配置为根据电源电压的变化补偿第一参考时钟信号的变化，并且提供补偿后的第一参考时钟信号；以及合格/失败(P/F)确定电路，被配置为通过在所述泵浦电压信号被提供给字线的同时，比较所述第一泵浦时钟信号与所述补偿后的第一参考时钟信号，来确定所述字线是否有缺陷。
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公开(公告)号：CN111326185B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN201910885015.3
申请日：2019-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权俊秀
Abstract: 公开了一种非易失性存储器装置及其操作方法。一种非易失性存储器装置的操作方法包括：通过第一DQ线从外部装置接收表示第一数据比特的第一DQ信号，并通过第二DQ线从外部装置接收表示第二数据比特的第二DQ信号；以及对与第一DQ线对应的第一存储器单元和与第二DQ线对应的第二存储器单元进行编程，使得第一存储器单元基于第一DQ信号具有擦除状态和第一编程状态中的任何一种，第二存储器单元基于第二DQ信号具有擦除状态和第二编程状态中的任何一种。与第二编程状态对应的阈值电压分布的下限值高于与第一编程状态对应的阈值电压分布的下限值。
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公开(公告)号：CN107068186B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201611160159.5
申请日：2016-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储装置和操作存储装置的方法。在操作包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储装置的方法中，搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页，搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页，对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作，对第一存储器块执行擦除操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068186A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611160159.5
申请日：2016-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G06F3/0608 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0679 , G11C7/14 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/225 , G11C16/28 , G11C16/3445 , G11C16/3459 , G11C16/3436
Abstract: 本公开提供了存储装置和操作存储装置的方法。在操作包括至少一个非易失性存储器装置以及被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的存储装置的方法中，搜索包括在所述至少一个非易失性存储器装置中的多个存储器块中的第一存储器块的边界页，搜索第一存储器块的未写入数据的至少一个空白页，对边界页和所述至少一个空白页的一部分执行伪程序操作，对第一存储器块执行擦除操作。
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公开(公告)号：CN109712664B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN201811152590.4
申请日：2018-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括用于检测字线缺陷的电路的存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，其包括设置在衬底上的第一存储单元和位于第一存储单元上方的第二存储单元；连接到第一存储单元的第一字线和连接到第二存储单元的第二字线，第二字线设置在第一字线上方；以及字线缺陷检测电路，其被配置为在将第一电压施加到第一字线时监测泵激时钟信号的脉冲的数目以检测第一字线的缺陷。电压发生器被配置为当泵激时钟信号的脉冲的数目小于基准值时，将与第一电压不同的第二电压施加到第二字线以对第二存储单元进行编程。
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公开(公告)号：CN111340204B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201911225725.X
申请日：2019-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 权俊秀
IPC: G06N3/063 , G06N3/045 , G06F7/544 , G11C16/26 , G06N3/0464
Abstract: 一种非易失性存储器器件，包括：存储器单元阵列，其中算术内部数据被写入该存储器单元阵列；以及算术电路，被配置为接收算术输入数据和算术内部数据，用于响应于算术命令的、神经网络的利用算术内部数据和算术输入数据的算术运算，使用算术内部数据和算术输入数据来执行算术运算以生成算术结果数据，以及输出神经网络的算术运算的算术结果数据。
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公开(公告)号：CN109785892B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201811309881.X
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器器件，可以包括：存储器单元阵列，包括存储器单元和连接到存储器单元的字线；时钟产生器，被配置为根据系统时钟信号来产生第一泵浦时钟信号；电荷泵，被配置为使用电源电压和第一泵浦时钟信号来提供泵浦电压信号；补偿电路，被配置为根据电源电压的变化补偿第一参考时钟信号的变化，并且提供补偿后的第一参考时钟信号；以及合格/失败(P/F)确定电路，被配置为通过在所述泵浦电压信号被提供给字线的同时，比较所述第一泵浦时钟信号与所述补偿后的第一参考时钟信号，来确定所述字线是否有缺陷。
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公开(公告)号：CN114256249A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202110966715.2
申请日：2021-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11551 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：单元区域，在单元区域中设置有存储器块，每个存储器块包括堆叠在基底上的字线和穿透字线的沟道结构；以及外围电路区域，包括外围电路，外围电路对每个存储器块作为单位执行删除数据的擦除操作。外围电路在擦除操作中基于目标存储器块的位置、目标存储器块中包括的每条字线的高度和每个沟道结构的轮廓中的至少一者，来控制向要删除数据的目标存储器块中包括的每条字线施加的电压。
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