半导体器件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111326501B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN201910857386.0

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:衬底;衬底上的半导体芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

    半导体封装件
    2.
    发明公开
    半导体封装件 审中-公开

    公开(公告)号:CN111799230A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN202010089008.5

    申请日:2020-02-12

    Abstract: 一种半导体封装件,包含:第一半导体芯片,具有上表面、与上表面相对的下表面以及在上表面与下表面之间的侧壁;封端绝缘层,覆盖第一半导体芯片的上表面和侧壁;以及屏蔽层,在封端绝缘层上,其中封端绝缘层的下部部分包含接触屏蔽层的下表面的侧向突出封端突出部。

    半导体器件
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111326501A

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201910857386.0

    申请日:2019-09-10

    Abstract: 公开了一种半导体封装,包括:衬底;衬底上的半导体芯片;衬底上的模塑层,覆盖半导体芯片;以及模塑层上的屏蔽层。屏蔽层包括聚合物,在聚合物中分布有多个导电结构和多个纳米结构,其中,导电结构中的至少一些彼此连接。

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