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公开(公告)号：CN110827913B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113724765A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110275852.1
申请日：2021-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种数据加密方法、非易失性存储器装置和用户装置。所述对非易失性存储器装置中的数据进行加密的方法包括：将数据编程到被选存储器单元中；在发展时段期间的第一时间感测被选存储器单元以提供随机数据，并在发展时段期间的第二时间感测被选存储器单元以提供主数据；使用随机数据对主数据进行加密以生成加密后的主数据；以及将加密后的主数据输出到外部电路，其中，随机数据的随机性基于被选存储器单元的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN110827893B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201910374387.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
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公开(公告)号：CN110827913A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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公开(公告)号：CN110827893A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910374387.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
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公开(公告)号：CN101192446A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196653.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/20
CPC classification number: G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 公开了一种驱动多电平可变电阻存储装置的方法。驱动多电平可变电阻存储装置的方法包括：提供写电流给可变电阻存储器，以便改变可变电阻存储单元的电阻；验证改变的电阻是否进入预定的电阻窗；以及提供具有从基于验证结果最近提供的写电流增加或减小的量的写电流，以便改变可变电阻存储单元的电阻。
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