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公开(公告)号：CN110827893B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN201910374387.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
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公开(公告)号：CN110827913A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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公开(公告)号：CN110827893A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910374387.X
申请日：2019-05-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种存储器控制器可以控制包括存储器单元的电阻存储器设备，可以控制电阻存储器设备将存储器单元编程为第一电阻状态，控制电阻存储器设备从被编程的存储器单元读取数据、从电阻存储器设备接收在读取操作中发生的存储器单元的误码率(BER)，可以确定对与BER相对应的存储器单元进行的编程操作的次数，并且可以基于所确定的编程操作的次数，通过使用具有高于最小写入电流的电流电平的电流电平的写入电流来控制将存储器单元编程为第一电阻状态，该最小写入电流是将存储器单元改变为第一电阻状态所必需的。
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公开(公告)号：CN110827913B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201910193335.2
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储器控制器可以根据包括存储器单元在内的电阻存储器器件的误码率(BER)来检测劣化。存储器控制器可以控制存储器单元被编程到第一电阻状态，读取经编程的存储器单元，并且从电阻存储器器件接收在读取操作期间产生的存储器单元的BER。存储器控制器可以基于BER来确定存储器单元的编程循环的数量。可以基于参考指示BER与编程循环的数量之间的相关性的查找表来确定数量。
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