公开(公告)号：CN1725471A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510082046.3

申请日：2005-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴元虎 ,  柳泰光 ,  金炅焕 ,  金洸兑

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/28273 ,  G11C16/0433 ,  H01L27/11524

Abstract: 提供了一种形成隧穿绝缘层的方法，由所述方法形成的隧穿绝缘层的尺寸小于通过光刻工艺的分辨率得到的尺寸。所述方法包括的步骤有：在衬底上形成第一绝缘层和第二绝缘层；形成可再次流动的材料层图案，并使之再次流动；去除第二绝缘层和第一绝缘层，以暴露所述衬底；以及形成隧穿绝缘层。

公开(公告)号：CN118076100A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311529661.9

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炅焕 ,  崔贤根 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  李基硕 ,  李相昊 ,  郑文泳

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H10B53/40

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：下结构，包括位线；单元半导体主体，在下结构上与位线竖直地重叠；外围半导体主体，在下结构上，包括设置在与单元半导体主体的至少一部分相同水平上的部分；以及外围栅极，在外围半导体主体上，其中，外围半导体主体包括具有第一宽度的下区域、以及在下区域上具有大于第一宽度的第二宽度的上区域。

公开(公告)号：CN1979814A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610165951.X

申请日：2006-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣浩 ,  金龙泰 ,  朴元虎 ,  金炅焕 ,  朴志薰

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524

Abstract: 本发明提供了一种制造电可擦除和可编程只读存储器(EEPROM)的制造方法，其包括在具有存储晶体管区和选择晶体管区的半导体衬底中形成限定有源区的隔离图案。在有源区上形成具有隧穿区的栅极绝缘层。在具有栅极绝缘层的所得结构上形成第一导电层。第一导电层被构图以形成暴露隔离图案顶表面的开口。进行该构图使得选择的开口和与该开口相邻的有源区之间的距离根据设置在该开口下面的隔离图案的宽度而改变。本发明还提供了相应的EEPROM。