X射线探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN109085635B

    公开(公告)日:2023-09-08

    申请号:CN201810605831.X

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 提供了一种X射线探测器以及制造该X射线探测器的方法。该X射线探测器包括:光转换层,配置为将X射线转换为具有与X射线的波长范围不同的波长范围的光;感测层,布置在光转换层上并包括配置为将光输出为电信号的多个像素;保护层,布置在感测层上并保护感测层免受物理冲击;以及防静电层,布置在保护层上并防止静电电荷被引入感测层中。

    薄膜晶体管基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101261961A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810083158.4

    申请日:2008-03-07

    Inventor: 金润熙 姜镐民

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/1214 H01L27/1255 H01L29/66765

    Abstract: 根据一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法,栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触图案被蚀刻。

    X射线探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN109085635A

    公开(公告)日:2018-12-25

    申请号:CN201810605831.X

    申请日:2018-06-13

    Abstract: 提供了一种X射线探测器以及制造该X射线探测器的方法。该X射线探测器包括:光转换层,配置为将X射线转换为具有与X射线的波长范围不同的波长范围的光;感测层,布置在光转换层上并包括配置为将光输出为电信号的多个像素;保护层,布置在感测层上并保护感测层免受物理冲击;以及防静电层,布置在保护层上并防止静电电荷被引入感测层中。

    薄膜晶体管基板的制造方法

    公开(公告)号:CN101261961B

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN200810083158.4

    申请日:2008-03-07

    Inventor: 金润熙 姜镐民

    CPC classification number: H01L27/1288 H01L27/1214 H01L27/1255 H01L29/66765

    Abstract: 根据一种薄膜晶体管(TFT)基板的制造方法,栅极绝缘层、半导体层、欧姆接触层和数据金属层顺序形成于基板上。光致抗蚀剂图案形成于源电极区域和漏电极区域中。使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,数据金属层被蚀刻以形成包括源电极和漏电极的数据布线。光致抗蚀剂图案被回流以覆盖该源电极和该漏电极之间的沟道区。使用回流的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触层和半导体层被蚀刻以形成包括欧姆接触图案和半导体图案的有源图案。回流的光致抗蚀剂图案被回蚀刻以露出该沟道区内的该欧姆接触图案的一部分。使用回蚀刻的光致抗蚀剂图案作为蚀刻停止层,该欧姆接触图案被蚀刻。

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