公开(公告)号：CN105609606A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III-V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。

公开(公告)号：CN105609606B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201510783853.1

申请日：2015-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林珍永 ,  司空坦 ,  金柄均 ,  金锺学

IPC: H01L33/22

Abstract: 本发明公开了发光装置及其制造方法。一种发光装置，其包括第一导电类型的半导体层、第二导电类型的半导体层和位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有多个V坑的有源层。所述发光装置还包括位于第一导电类型的半导体层与第二导电类型的半导体层之间并具有与有源层的多个V坑的大小和形状实质上相同的多个V坑的层质量改进层，其中层质量改进层是包括Al或In的III‑V族半导体层。由于改进的层质量而提高了发光装置的发光质量。