公开(公告)号：CN1913191A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610110772.6

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承彦 ,  金惠英 ,  朴炳昊 ,  尹浈斌 ,  金裕善

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1641

Abstract: 本发明提供了一种减小并稳定复位电流的存储器件的制造方法。所述存储器件包括由电阻变化材料组成的氧化层，用于稳定复位电流，所述方法包括：在下结构上形成下电极和氧化层；和将电子束或离子束照射到所述氧化层的一区域上。减小并稳定了本发明的存储器件的复位电流。