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公开(公告)号：CN100405234C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510067477.2
申请日：2005-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李浚熙
CPC classification number: G03G21/0088 , G03G21/0011
Abstract: 一种清洁装置、清洁方法和应用该清洁装置和清洁方法的成像设备。该清洁装置包括一用于移去残留在转印带和感光介质之一上的废弃显影剂的第一清洁构件；一用于支承第一清洁构件的支承支架；一设置在第一清洁构件的一侧用于移去残留在第一清洁构件上的废弃显影剂的第二清洁构件；一显影剂传送构件，用于传送移除的废弃显影剂；和一基座支架单元，用于接收显影剂传送构件。基于此清洁装置和清洁方法，成像设备具有改进清洁效率的效果。
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公开(公告)号：CN101154064B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710137353.6
申请日：2007-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李浚熙
IPC: G03G15/00
CPC classification number: G03G15/1675 , G03G15/5029 , G03G2215/00763 , G03G2215/1614
Abstract: 一种修正用来确定转印电压的介质电阻的方法以及执行该方法的成像装置。该方法包括：供应用来识别打印介质的介质识别电压，并且根据预定的读取周期来读取介质电阻；通过参照在供应介质识别电压的时刻与预定的稳定化时刻之间的区间中的介质电阻的模式，基于读取的介质电阻，来计算估计的介质电阻；以及通过将计算出的估计的介质电阻与在预定的稳定化时刻之后获得的读取的介质电阻进行比较，而确定当供应转印电压时将应用的介质电阻。
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公开(公告)号：CN1912769A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610121239.X
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G21/0029
Abstract: 一种成像装置，包括旋转感光鼓，具有沿感光鼓轴向与感光鼓外表面接触的清洁边的清洁刮刀，和具有与清洁刮刀接触以支持清洁刮刀的接触表面的支架，支架和清洁刮刀间的接触表面的宽度在清洁刮刀的中心部最大并从清洁刮刀的中心部到相对端部逐渐减小。因此，用于具有清洁刮刀和支架的成像装置的显影盒可以防止低质量的感光鼓表面清洁和具有改进的耐用性。
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公开(公告)号：CN1690886A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067477.2
申请日：2005-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李浚熙
CPC classification number: G03G21/0088 , G03G21/0011
Abstract: 一种清洁装置、清洁方法和应用该清洁装置和清洁方法的成像设备。该清洁装置包括一用于移去残留在转印带和感光介质之一上的废弃显影剂的第一清洁构件；一用于支承第一清洁构件的支承支架；一设置在第一清洁构件的一侧用于移去残留在第一清洁构件上的废弃显影剂的第二清洁构件；一显影剂传送构件，用于传送移除的废弃显影剂；和一基座支架单元，用于接收显影剂传送构件。基于此清洁装置和清洁方法，成像设备具有改进清洁效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104241367A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410232888.1
申请日：2014-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。第一栅电极包括第一栅极绝缘膜和第一功能膜，第一栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸并远离衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽，第一功能膜填充第一沟槽。第二栅电极包括第二栅极绝缘膜、第二功能膜和金属区，第二栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸的侧壁部分，从而限定具有与第一宽度不同的第二宽度的第二沟槽，第二功能膜适形于第二沟槽中的第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽，金属区在第三沟槽中。第一宽度可小于第二宽度。
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公开(公告)号：CN103943681A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201310751573.3
申请日：2013-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/51 , H01L29/10 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L27/1104 , H01L29/51 , H01L29/6681
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括沟槽；所述沟槽内的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进衬底的界面陷阱密度；以及所述界面陷阱密度改进膜上的第一导电类型功函数调整膜。
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公开(公告)号：CN101266453B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200810001636.2
申请日：2008-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G21/1814 , G03G21/1821 , G03G21/1825 , G03G2221/1693
Abstract: 本发明涉及一种显影盒，其包括具有感光介质的主框架，和包括用于为感光介质充电的充电部件并可拆卸地设置在主框架上的充电部件框架。主框架包括多个框架基准槽，并且充电部件框架包括可插入主框架多个框架基准槽的多个框架基准凸起。
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公开(公告)号：CN101266453A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810001636.2
申请日：2008-01-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03G21/1814 , G03G21/1821 , G03G21/1825 , G03G2221/1693
Abstract: 本发明涉及一种显影盒，其包括具有感光介质的主框架，和包括用于为感光介质充电的充电部件并可拆卸地设置在主框架上的充电部件框架。主框架包括多个框架基准槽，并且充电部件框架包括可插入主框架多个框架基准槽的多个框架基准凸起。
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公开(公告)号：CN101192031A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710195852.0
申请日：2007-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李浚熙
CPC classification number: G03G15/0812
Abstract: 一显影单元，其固定至一图像形成装置的主框架，该图像形成装置包括光敏介质，其中一静电潜像得以形成并提供调色剂给光敏介质以显影图像，所述显影单元包括：显影框架；显影件，该显影件安装在所述显影框架中，用以提供调色剂给光敏介质以显影图像；刀片，该刀片用以调节在所述显影件上的调色剂层；和位置改变部分，该位置改变部分用以改变所述刀片在所述显影件上的位置。
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