公开(公告)号：CN117750758A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311183750.2

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大荣 ,  具滋玟 ,  金奎完 ,  金宗赫 ,  金孝敬 ,  朴奇洙

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种集成电路装置。该集成电路装置包括：基底，包括多个有源区域；多个器件隔离层，设置在基底中并且限定多个有源区域；多条位线，在基底上在第一水平方向上彼此间隔开，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个绝缘栅栏，在第二水平方向上彼此间隔开并且设置在多条位线中的相邻位线之间；多个掩埋接触件，连接到多个有源区域并且设置在多条位线中的相邻位线之间以及多个绝缘栅栏之间；以及多个竖直绝缘层，竖直地定位在多个绝缘栅栏与多个掩埋接触件之间。

公开(公告)号：CN114361161A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110859281.6

申请日：2021-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝敬 ,  具滋玟 ,  金宗赫 ,  文大荣

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底包括隔离层图案和有源图案；缓冲绝缘层图案，所述缓冲绝缘层图案在所述衬底上；多晶硅结构，所述多晶硅结构在所述有源图案和所述缓冲绝缘层图案上，所述多晶硅结构接触所述有源图案的一部分，并且所述多晶硅结构在平行于所述衬底的上表面的方向上延伸；第一扩散阻挡层图案，所述第一扩散阻挡层图案在所述多晶硅结构的上表面上，所述第一扩散阻挡层图案包括至少掺杂有碳的多晶硅；第二扩散阻挡层图案，所述第二扩散阻挡层图案在所述第一扩散阻挡层图案上，所述第二扩散阻挡层图案至少包括金属；以及第一金属图案和第一覆盖层图案，所述第一金属图案和所述第一覆盖层图案堆叠在所述第二扩散阻挡层图案上。

公开(公告)号：CN119136538A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410751225.4

申请日：2024-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝敬 ,  曹基源 ,  沈东敏 ,  尹硕元 ,  郑天炯

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和多个栅极结构，衬底包括限定多个有源区的元件隔离层，多个栅极结构与有源区交叉。栅极结构中的每个包括在有源区上的栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅电极层，栅极绝缘层包括包含第一材料的第一区域和包含不同于第一材料的第二材料的第二区域。第一区域中的第二材料的浓度小于第二区域中的第二材料的浓度，并且第一区域的厚度小于第二区域的厚度。