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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119136538A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202410751225.4

申请日：2024-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金孝敬 , 曹基源 , 沈东敏 , 尹硕元 , 郑天炯

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底和多个栅极结构，衬底包括限定多个有源区的元件隔离层，多个栅极结构与有源区交叉。栅极结构中的每个包括在有源区上的栅极绝缘层和在栅极绝缘层上的栅电极层，栅极绝缘层包括包含第一材料的第一区域和包含不同于第一材料的第二材料的第二区域。第一区域中的第二材料的浓度小于第二区域中的第二材料的浓度，并且第一区域的厚度小于第二区域的厚度。

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