公开(公告)号：CN117750758A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311183750.2

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大荣 ,  具滋玟 ,  金奎完 ,  金宗赫 ,  金孝敬 ,  朴奇洙

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种集成电路装置。该集成电路装置包括：基底，包括多个有源区域；多个器件隔离层，设置在基底中并且限定多个有源区域；多条位线，在基底上在第一水平方向上彼此间隔开，并且在与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸；多个绝缘栅栏，在第二水平方向上彼此间隔开并且设置在多条位线中的相邻位线之间；多个掩埋接触件，连接到多个有源区域并且设置在多条位线中的相邻位线之间以及多个绝缘栅栏之间；以及多个竖直绝缘层，竖直地定位在多个绝缘栅栏与多个掩埋接触件之间。

公开(公告)号：CN114582871A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202111455592.2

申请日：2021-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文大荣 ,  具滋玟 ,  金奎完 ,  朴奇洙

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：器件隔离图案，其位于衬底上以限定有源区域；字线，其位于衬底中以与有源区域相交；第一掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第一侧；第二掺杂区域，其位于有源区域中并且在字线的第二侧；位线，其连接到第一掺杂区域并且与字线相交；位线接触件，其将位线连接到第一掺杂区域；着陆焊盘，其位于第二掺杂区域上；以及存储节点接触件，其将着陆焊盘连接到第二掺杂区域，存储节点接触件包括：第一部分，其与第二掺杂区域接触，第一部分包括单晶硅；以及第二部分，其位于第一部分上，并且包括多晶硅。