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公开(公告)号:CN1207761C
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN01144821.0
申请日:2001-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , C23F1/00
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括:陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。
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公开(公告)号:CN1365138A
公开(公告)日:2002-08-21
申请号:CN01144821.0
申请日:2001-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , H01J37/3244
Abstract: 本发明公开了一种气体喷射器,其更能够耐受诸如等离子体蚀刻装置之类的半导体制造装置中的条件。该气体喷射器包括:陶瓷材料块形式的主体;和由延伸穿过该陶瓷材料块的第一和第二气体喷射孔形成的气体喷射部分。该陶瓷材料块具有第一圆柱形部分以及从第一圆柱形部分伸出的第二圆柱形部分。第一圆柱形部分比第二圆柱形部分更宽并且更长。气体喷射部分的第一孔延伸穿过陶瓷材料块的第一圆柱形部分,而第二孔延伸穿过第二圆柱形部分,每个第二孔分别从一个相应的第一孔中连续地伸出,并与之同心。第一孔比第二孔更宽并且更长。上述气体喷射器设置在等离子体蚀刻装置的上部。
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